类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　尺寸代码：0805（EIA）/ 2012（公制）
　　电容值：3300 pF (3.3 nF)
　　容差：±5%
　　额定电压：50 V DC
　　温度特性：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：Ceramic (Class I)
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　老化率：0% per decade
　　交流测试电压：1.414 × 额定电压
　　直流电阻（DCL）：≤ 50 MΩ 或 0.01 CV（取较大值）
　　绝缘电阻：≥ 500 MΩ 或 10000 μF·V，取较小值
　　失效概率：低
　　包装形式：卷带包装（Tape and Reel）

MSS5131-332MLC 采用 Class I 陶瓷介质材料，具体为 C0G（也称为 NP0）配方，这使得它在全温度范围内（-55°C 至 +125°C）具有极其稳定的电容性能。其电容值随温度的变化不超过 ±30 ppm/°C，远优于 X7R、Y5V 等 II 类或 III 类陶瓷电容器，因此非常适合用于高频振荡器、LC 谐振电路、滤波网络和精密定时应用。由于 C0G 材料本质上是非铁电性的，其介电常数不会随外加电压发生显著变化，表现出极佳的电压线性特性，避免了因电压波动引起的电容漂移问题。
　　该电容器的结构设计优化了寄生参数，具有较低的等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），从而在高频下仍能保持优良的阻抗特性，有效提升去耦和旁路效果。此外，其 0805 封装尺寸在空间受限的应用中提供了良好的体积与性能平衡，既满足小型化需求，又具备足够的焊盘面积以保证焊接可靠性。产品经过严格的筛选和测试，确保在恶劣环境下的长期稳定性，包括抗热冲击能力、耐湿性和抗机械振动性能。
　　MSS5131-332MLC 还具备优异的寿命稳定性和几乎为零的老化率。与铁电介质材料不同，C0G 电容器不会随着时间推移而出现电容值衰减，因此无需定期校准或补偿。其绝缘电阻高，漏电流极小，在高阻抗电路中不会引入额外误差，适用于传感器接口、ADC 参考电压旁路等敏感模拟电路。整体而言，该器件结合了稳定性、可靠性和高频响应优势，是高性能模拟和射频系统中的理想选择。

MSS5131-332MLC 被广泛应用于需要高稳定性和低损耗的电子系统中。典型应用场景包括射频（RF）电路中的匹配网络、滤波器和谐振回路，其中电容值的微小变化都会影响系统性能，因此必须使用 C0G/NP0 类电容器。在时钟生成电路中，如晶体振荡器的负载电容配置，该器件可确保频率精度和长期稳定性。此外，它常用于精密运算放大器电路的反馈和补偿网络，以及 ADC/DAC 的参考电压去耦，防止噪声干扰导致转换误差。
　　在电源管理系统中，MSS5131-332MLC 可作为局部去耦电容，用于抑制高频噪声，稳定 IC 供电电压，尤其适用于高速数字 IC 和混合信号器件。其低 ESR 和 ESL 特性使其能在瞬态电流变化时快速响应，减少电压波动。在工业自动化设备、医疗监测仪器、测试测量设备和通信基站模块中，该电容器因其高可靠性而被优先选用。同时，由于符合 RoHS 标准且支持回流焊工艺，也适用于大规模自动化生产和便携式消费电子产品。

GRM21BR71H333KA01L
　　CC0805JRNPO9BN333
　　C2012X5S1H333K125AA