F800BGHB-TTL90 时间：2025/8/28 3:14:52 阅读：3

F800BGHB-TTL90 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高功率密度应用而设计，适用于工业控制、电源管理和电机驱动等领域。F800BGHB-TTL90 采用 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热性能和电气性能，适合在高电流和高频率环境下工作。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：80A
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：3.5mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：250W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

特性

F800BGHB-TTL90 MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），仅为 3.5mΩ，这使得在高电流条件下导通损耗大大降低，提高了系统效率。该器件的漏极电流额定值高达 80A，适用于高功率负载的应用场景。
　　此外，F800BGHB-TTL90 支持高达 200V 的漏源电压，使其适用于中高电压功率转换系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电机控制器。其 ±20V 的栅源电压耐受能力增强了抗电压尖峰的能力，提高了器件在复杂电磁环境下的可靠性。
　　该器件采用 TO-263（D2PAK）封装，具有良好的散热性能，能够有效将热量传导至 PCB 板上，从而提高器件的热稳定性。该封装形式也支持表面贴装工艺，简化了制造流程，提高了生产效率。
　　F800BGHB-TTL90 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，具备良好的热稳定性，适用于高温或严苛环境下的工业应用。此外，该器件具备快速开关能力，适用于高频开关电路，有助于减小外围元件的尺寸并提升整体系统效率。

应用

F800BGHB-TTL90 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制电路。由于其高耐压和大电流能力，F800BGHB-TTL90 特别适合用于需要高效能功率开关的场合，如不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电动工具驱动器等。
　　在电机控制应用中，F800BGHB-TTL90 可作为 H 桥结构中的功率开关器件，实现电机的正反转控制和制动功能。在电源管理领域，该器件可被用于同步整流、负载开关和功率因数校正（PFC）电路中，以提升电源转换效率并减少能量损耗。
　　此外，F800BGHB-TTL90 还可用于电池充放电管理系统中，作为控制电池充放电路径的主开关元件。其低导通电阻和高可靠性使其在高功率电池应用中表现出色，例如电动车辆、储能系统和便携式医疗设备等。