GJM1555C1H6R8CB01D 是一款高精度薄膜片式电阻,适用于对稳定性和精确度要求较高的电路设计。该型号属于薄膜电阻系列,采用先进的薄膜沉积工艺制造,具备低温度系数、高稳定性和优异的频率特性。
这种电阻通常用于精密测量、信号调节和滤波器等场景,广泛应用于通信设备、医疗电子、工业控制和航空航天领域。
阻值:6.8Ω
公差:±1%
额定功率:0.1W
温度系数:±25ppm/°C
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
封装形式:0402
材料:镍铬合金薄膜
GJM1555C1H6R8CB01D 的主要特性包括:
1. 高精度阻值,误差仅为 ±1%,确保在复杂电路中的性能一致性。
2. 温度系数低至 ±25ppm/°C,能够有效减少因环境温度变化导致的阻值漂移。
3. 小型化设计,采用 0402 封装,节省 PCB 空间,适合高密度组装。
4. 耐硫化性能优异,能够在恶劣环境下长期可靠工作。
5. 额定功率为 0.1W,满足大多数低功耗应用场景的需求。
6. 具备优异的频率响应特性,适用于高频电路设计。
该电阻的主要应用领域包括:
1. 精密测量仪器中的电流检测和电压分压电路。
2. 数据采集系统中的信号调理和滤波电路。
3. 医疗设备中的电源管理和信号处理模块。
4. 工业自动化控制系统的反馈回路和传感器接口。
5. 通信设备中的射频和中频电路设计。
6. 航空航天领域的高可靠性电子组件。
GJM1555C1H6R8CB02D
GJM1555C1H6R8CB03D
GJM1555C1H6R8CB04D