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FN18N1R5B500PSG 发布时间 时间:2025/5/26 19:47:34 查看 阅读:9

FN18N1R5B500PSG是一款由Fairchild(现为Onsemi)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TOLL封装形式,具备低导通电阻和高电流处理能力,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种工业应用中的功率管理场景。
  这款MOSFET通过优化的芯片设计和先进的制造工艺,在保证高性能的同时实现了更小的体积和更高的效率。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  栅极电荷:46nC
  输入电容:2030pF
  反向恢复时间:70ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 高耐压能力,适合高压应用场景。
  2. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高系统效率。
  3. 快速开关速度,支持高频操作。
  4. 强大的雪崩能量承受能力,增强可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业要求。
  6. TOLL封装设计,简化PCB布局并提供更好的散热性能。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 工业设备中的电机驱动电路。
  3. DC-DC转换器及升压/降压转换模块。
  4. 太阳能逆变器和储能系统的功率级控制。
  5. 电动汽车充电设施中的功率管理单元。
  6. 各类需要高效功率切换的应用场合。

替代型号

IRFP460N
  FDP18N50
  STP18NM50E

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