FN18N1R5B500PSG是一款由Fairchild(现为Onsemi)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TOLL封装形式,具备低导通电阻和高电流处理能力,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种工业应用中的功率管理场景。
这款MOSFET通过优化的芯片设计和先进的制造工艺,在保证高性能的同时实现了更小的体积和更高的效率。
最大漏源电压:500V
连续漏极电流:18A
导通电阻(典型值):1.5mΩ
栅极电荷:46nC
输入电容:2030pF
反向恢复时间:70ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
1. 高耐压能力,适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度,支持高频操作。
4. 强大的雪崩能量承受能力,增强可靠性。
5. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业要求。
6. TOLL封装设计,简化PCB布局并提供更好的散热性能。
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
2. 工业设备中的电机驱动电路。
3. DC-DC转换器及升压/降压转换模块。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率级控制。
5. 电动汽车充电设施中的功率管理单元。
6. 各类需要高效功率切换的应用场合。
IRFP460N
FDP18N50
STP18NM50E