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IRF2907ZSTRLPBF 发布时间 时间:2025/6/17 17:08:36 查看 阅读:3

IRF2907ZSTRLPBF 是一款高性能的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),由 Vishay 公司生产。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用场合。
  该 MOSFET 的封装形式为 TO-263-3(D2PAK),具备良好的散热性能,适合于需要高效率和可靠性的电力电子系统。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:81A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:85nC
  总电容:3000pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on))确保了较低的传导损耗,从而提高了系统的整体效率。
  2. 高电流处理能力使其能够承受较大的负载电流,适用于大功率应用场景。
  3. 短路耐受时间长,增强了器件在异常情况下的保护能力。
  4. 快速开关速度减少了开关损耗,非常适合高频开关应用。
  5. 优异的热性能设计,保证了在高功率密度环境下的稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代工业需求。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 工业逆变器
  5. 大功率 LED 驱动
  6. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制
  7. 不间断电源(UPS)系统
  8. 汽车电子中的大电流开关应用

替代型号

IRFP2907ZPBF, IRF2907ZTRPBF

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IRF2907ZSTRLPBF参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C160A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.5 毫欧 @ 75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs270nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds7500pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)