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M29W400BT90N1 发布时间 时间:2025/12/27 3:25:10 查看 阅读:14

M29W400BT90N1是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的4兆位(Mbit)NOR型闪存芯片,采用先进的浮栅存储技术,属于其M29W系列中的高性能、低功耗Flash产品。该器件的容量为4 Mbit(即512 Kbyte),组织结构为按字节访问的262,144个地址单元,每个单元存储16位数据(即256 K x 16)。M29W400BT90N1支持快速读取操作,典型访问时间为90纳秒,因此非常适合需要高速代码执行和数据存储的应用场景。该芯片采用标准的并行接口设计,兼容JEDEC标准,便于与各种微控制器、微处理器和数字信号处理器直接连接,无需额外的接口逻辑。该器件工作电压范围为2.7V至3.6V,适合于低功耗便携式设备应用。此外,它具备完整的命令集,支持在线编程(In-System Programming, ISP)和扇区擦除功能,允许用户对特定存储区域进行更新而不影响其他数据,提高了系统灵活性和数据管理效率。M29W400BT90N1封装形式为48引脚TSOP(薄型小外形封装),具有良好的热性能和机械稳定性,适用于工业控制、消费电子、网络设备和嵌入式系统等多种应用场景。该芯片还内置了写保护机制,防止意外写入或擦除操作,增强了数据可靠性。同时,器件支持硬件复位功能,可通过RESET引脚实现快速初始化。M29W400BT90N1符合RoHS环保要求,适用于现代绿色电子产品设计。

参数

型号:M29W400BT90N1
  制造商:STMicroelectronics
  存储类型:NOR Flash
  存储容量:4 Mbit (512 Kbyte)
  组织结构:256 K x 16
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  访问时间:90 ns
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:48-pin TSOP
  接口类型:并行异步接口
  编程电压:内部电荷泵生成所需高压
  待机电流:典型值为40 μA
  读取电流:典型值为30 mA
  编程/擦除耐久性:100,000次循环
  数据保持时间:超过20年

特性

M29W400BT90N1具备多项关键特性,使其在嵌入式非易失性存储应用中表现出色。首先,其90ns的快速访问时间支持XIP(eXecute In Place)功能,即处理器可以直接从闪存中执行程序代码而无需将其加载到RAM中,显著提升了系统启动速度和运行效率,特别适用于实时控制系统和固件存储应用。其次,该器件支持扇区擦除架构,将整个存储空间划分为多个可独立擦除的扇区(包括多个4 KB的小扇区和一个32 KB的大扇区),这种灵活的擦除粒度使得用户可以精细地管理固件更新、配置参数存储等任务,避免了全片擦除带来的不便与风险。此外,芯片内置命令寄存器体系,通过向特定地址写入特定序列的命令来实现读取、编程、擦除、挂起等操作,增强了软件控制的灵活性。
  另一个重要特性是其低功耗设计。在正常读取模式下,典型工作电流仅为30mA,而在待机或休眠模式下,电流可低至40μA,这大大延长了电池供电设备的工作时间,适用于移动终端、手持仪器等对能耗敏感的应用场景。器件还集成了自动定时编程和擦除算法,减少了主机CPU的负担,并确保操作的可靠完成。当发生电源中断时,其悬吊/恢复功能允许将正在进行的编程或擦除操作暂时挂起,转而响应紧急读取请求(如中断服务程序调用),之后再继续原操作,从而提升系统的实时响应能力。
  在可靠性方面,M29W400BT90N1具备硬件写保护功能,通过设置WP#引脚状态可防止非法写入;同时支持VPP写保护检测,进一步增强数据安全性。所有编程和擦除操作均受内部状态机控制,用户可通过查询状态寄存器了解操作进度及是否成功完成。该器件经过严格的老化测试和质量控制流程,保证在工业级温度范围(-40°C至+85°C)内稳定运行,适用于恶劣环境下的长期部署。此外,其TSOP封装体积小巧,便于高密度PCB布局,且与同类产品引脚兼容,有利于产品升级和替代设计。

应用

M29W400BT90N1广泛应用于多种需要可靠、高速非易失性存储的嵌入式系统中。在工业自动化领域,它常用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)和远程I/O模块中存储固件、配置参数和校准数据,其宽温特性和高可靠性确保在工厂环境中长期稳定运行。在消费类电子产品中,该芯片可用于打印机、数码相机、机顶盒和智能家电等设备,用于存放启动代码、操作系统映像和用户设置信息,支持快速开机和频繁固件升级。
  在网络通信设备中,如路由器、交换机和无线接入点,M29W400BT90N1作为Boot Flash使用,存储引导程序(Bootloader),确保设备上电后能迅速加载主操作系统。由于其支持XIP模式,可以在不占用宝贵RAM资源的情况下直接执行引导代码,优化系统资源分配。在汽车电子系统中,尽管该器件并非专为AEC-Q100认证设计,但仍可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的外围存储扩展,提供稳定的代码存储解决方案。
  此外,在医疗仪器、测试测量设备和POS终端等专业设备中,M29W400BT90N1因其数据保持时间长(超过20年)、擦写寿命高(10万次)以及抗干扰能力强等特点,成为可靠的存储选择。其并行接口易于与主流MPU/MCU对接,缩短开发周期。对于需要现场升级的应用,其扇区擦除功能允许只更新变化的部分代码,减少更新时间并降低失败风险。总体而言,M29W400BT90N1是一款成熟可靠的NOR Flash器件,适用于对稳定性、速度和功耗有综合要求的中低端嵌入式系统。

替代型号

M29W400BB70N1
  M29W400BT70Z1
  S29GL032N90TFIR2
  MT28EW01GABA1LJS

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M29W400BT90N1参数

  • 标准包装96
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器闪存
  • 存储器类型闪存 - 或非
  • 存储容量4M(512K x 8,256K x 16)
  • 速度90ns
  • 接口并联
  • 电源电压2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商设备封装48-TSOP(12x20)
  • 包装托盘