GJM1555C1H1R3WB01D是一款高性能的钽电容器,属于固态钽电容器系列。该元器件采用先进的制造工艺,具有高可靠性和稳定性,广泛应用于需要高频率、低等效串联电阻(ESR)和高纹波电流能力的电路中。
这种型号的钽电容器具有出色的温度稳定性和抗振动性能,适用于各种恶劣环境下的电子设备。其封装形式通常为贴片式(SMD),便于表面安装技术(SMT)应用。
容量:1.3μF
额定电压:35V
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装类型:SMD
尺寸:1608 (1.6mm x 0.8mm)
耐焊峰值温度:260℃@10秒
绝缘电阻:≥10MΩ
ESR(等效串联电阻):≤0.4Ω
GJM1555C1H1R3WB01D具有以下主要特性:
1. 高可靠性:采用固态锰 dioxide 技术,确保长期稳定运行。
2. 低ESR:提供优异的高频滤波性能,适用于电源去耦和信号滤波。
3. 宽温范围:能够在极端温度条件下保持性能稳定,适合工业及汽车级应用。
4. 小型化设计:紧凑的外形使其非常适合空间受限的应用场景。
5. 长寿命:即使在高温和高湿环境下也能保持较长使用寿命。
6. 环保材料:符合RoHS标准,不含任何有害物质。
该钽电容器适用于以下领域:
1. 通信设备:如基站、路由器和交换机中的电源滤波。
2. 消费电子产品:例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理模块。
3. 工业控制:用于变频器、PLC和其他工业自动化设备的电路。
4. 汽车电子:包括车载信息娱乐系统、导航系统以及动力总成控制单元(PCU)。
5. 医疗设备:如监护仪、超声波设备等对稳定性和可靠性要求较高的场合。
GJM1555C1H1R3MA01D, GJM1555C1H1R3WA01D