类型：功率 MOSFET
　　沟道类型：N 沟道
　　漏源电压（VDS）：1000V
　　连续漏极电流（ID）：10A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.75Ω @ VGS=10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 3.5V
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

IXTM10N100 MOSFET 的核心优势在于其卓越的高压处理能力和高效的开关特性。其高耐压（1000V）使得该器件适用于需要高电压隔离的应用场景，同时其较低的导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。该器件还具有出色的抗雪崩能力，能够承受瞬态高电压和大电流冲击，提高了系统的可靠性和稳定性。
　　在高频开关应用中，IXTM10N100 的快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体系统效率。其栅极电荷（Qg）较低，使得驱动电路的设计更加简单，并降低了驱动损耗。此外，该器件的热阻较低，能够有效散发工作时产生的热量，从而延长使用寿命并提高可靠性。
　　IXTM10N100 的另一个显著特点是其良好的短路耐受能力。该器件能够在短路条件下承受一定的电流和时间，从而为系统提供额外的保护功能。这种特性使其非常适合用于工业电机驱动、UPS 系统和光伏逆变器等对可靠性和稳定性要求极高的应用。

IXTM10N100 适用于多种高电压、高功率应用场景，包括但不限于工业电源、逆变器、电机控制、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、焊接设备和感应加热系统。由于其优异的高压性能和稳定的开关特性，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统。例如，在太阳能逆变器中，IXTM10N100 可用于 DC-AC 转换电路，实现高效的能量转换；在工业电机驱动中，该器件可用于 PWM 控制电路，提供精确的速度和扭矩控制。此外，该 MOSFET 还可用于高频电源转换器和开关电源（SMPS）中，以提高系统的整体效率。

STF10N100, FQA10N100, 2SK2142