时间：2025/8/6 12:35:41
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IXFX94N50P2 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高功率和高频率应用。该器件采用了先进的制造工艺，提供了卓越的性能，包括低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性。IXFX94N50P2 封装在 TO-247 三引脚封装中，适用于需要高效能功率开关的工业控制、电源管理和电机驱动等应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：94A
最大漏源电压（VDS）：500V
导通电阻（RDS(on)）：最大 0.125Ω
最大功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
栅极电荷（Qg）：180nC
输入电容（Ciss）：2900pF
封装类型：TO-247
IXFX94N50P2 功率 MOSFET 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体效率。其次，该器件能够承受高达 500V 的漏源电压（VDS），适用于高压系统中的开关操作。
此外，IXFX94N50P2 提供了良好的热稳定性，其封装设计允许有效的散热，确保在高功率工作条件下仍能保持稳定的性能。该 MOSFET 的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关应用。
该器件还具备较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。其高可靠性使其成为工业电机控制、电源转换器和不间断电源（UPS）系统等关键应用中的理想选择。
IXFX94N50P2 主要用于需要高功率处理能力的电子系统中。其典型应用包括电源供应器、电机控制、逆变器、DC-DC 转换器和不间断电源（UPS）。此外，它也广泛用于工业自动化设备、电动汽车充电系统和太阳能逆变器等高功率电子设备中。
由于其快速开关能力和低导通电阻特性，IXFX94N50P2 在需要高效能功率转换的场合中表现出色。例如，在电机控制应用中，它可以提供更精确的速度调节和更高的能效。在电源供应器中，该器件有助于减少能量损耗，提高整体系统效率。
该 MOSFET 还适用于需要高可靠性和长寿命的工业应用，例如自动化生产线和工业机器人控制系统。其稳定的电气性能和优异的散热设计使其在恶劣的工作环境中也能保持良好的运行状态。
STP94N50UFD, IRFP460LC, FCP94N50A, FDPF94N50
