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SQ4840EY-T1_GE3 发布时间 时间:2025/5/24 11:56:35 查看 阅读:17

SQ4840EY-T1_GE3 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低系统能耗并提升效率。
  这款器件通常以 TO-252 或 DPAK 封装形式提供,具有出色的散热性能和可靠性,适用于对效率和热管理要求较高的应用环境。

参数

类型:功率MOSFET
  封装:TO-252 / DPAK
  Vds(漏源电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):4.0mΩ
  Id(持续漏极电流):40A
  栅极电荷:35nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  功耗:25W

特性

SQ4840EY-T1_GE3 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在高电流应用中可以显著降低导通损耗。
  2. 快速开关能力,适合高频应用场合,可减少开关损耗。
  3. 高度可靠的封装设计,确保长期稳定运行。
  4. 支持宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
  5. 内置反向二极管,有助于简化电路设计并提高效率。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动与控制。
  3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  4. 汽车电子系统中的负载开关。
  5. LED 照明驱动电路。
  6. 充电器及适配器等便携式电子设备的电源管理单元。

替代型号

SQ4840EY-T1, IRF4840, FDP014N06L

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SQ4840EY-T1_GE3参数

  • 现有数量2,244现货
  • 价格1 : ¥26.31000剪切带(CT)2,500 : ¥13.18921卷带(TR)
  • 系列TrenchFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20.7A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9 毫欧 @ 14A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)62 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2440 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)7.1W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SOIC
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)