时间：2025/9/2 14:45:44
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MC88916DW-70是一款由Motorola（现为NXP Semiconductors）设计的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用高性能的CMOS技术制造，具有低功耗和高速存取能力，广泛用于需要快速数据访问的通信、计算和工业控制设备中。该器件是一款异步SRAM，提供灵活的读写控制和宽温度范围，适用于工业级应用。
容量：256Kbit（32K x 8）
电压：5V
访问时间：70ns
封装类型：SOIC
引脚数：28
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
读取电流：100mA（典型值）
待机电流：10mA（典型值）
MC88916DW-70 SRAM芯片具备多项高性能特性。其70ns的访问时间使其适用于需要快速响应的系统环境，支持异步操作模式，允许在没有时钟同步的情况下进行数据读写。其采用CMOS工艺制造，确保了低功耗运行，同时具备较高的抗干扰能力。
该芯片的28引脚SOIC封装设计适用于表面贴装技术，便于在现代PCB板上集成使用。其工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，适合在严苛的工业环境下稳定运行。此外，该SRAM芯片支持标准的TTL输入电平，简化了与各种微处理器和控制器的接口设计。
MC88916DW-70还具备数据保持能力，在待机模式下可维持数据不丢失，同时待机电流较低，有助于节能设计。其读写控制信号独立，支持灵活的外部控制逻辑设计，适用于多种嵌入式系统和高速缓存应用场景。
MC88916DW-70 SRAM芯片广泛应用于多个领域，包括工业控制设备、通信模块、网络设备、测试测量仪器以及消费类电子产品中的高速缓存场景。其低功耗与高速特性使其成为嵌入式系统、数据缓冲器和临时数据存储的理想选择。该芯片也可用于需要实时数据处理的微控制器系统，以及对稳定性和可靠性要求较高的自动化控制设备中。
CY62148EVLL-70ZE、AS6C6216-70PCN、IS62C256AL-70TLI
