型号：MMSZ5248B-7-F
　　制造商：Diodes Incorporated
　　封装类型：SOD-323 (SC-90)
　　齐纳电压(VZ)：13V @ IZT = 20μA
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：200mW
　　测试电流(IZT)：20μA
　　最大反向漏电流(IR)：1μA @ VR = 10.4V
　　动态阻抗(ZZT)：30Ω @ IZT = 20μA
　　温度系数：+6mV/°C (典型值)
　　工作结温范围：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

MMSZ5248B-7-F齐纳二极管具备优异的电压稳定性和温度响应特性，其核心优势在于小尺寸封装与高性能表现的结合。该器件在20μA的低测试电流下即可实现精确的13V齐纳电压输出，使其非常适合用于电池供电设备或待机电路等低功耗应用场景。由于采用了先进的硅扩散工艺和钝化层技术，器件具有极低的反向漏电流，在室温下不超过1μA，从而有效减少静态功耗并提升系统能效。动态阻抗仅为30Ω，意味着在负载瞬变时能够快速响应并抑制电压波动，提供更平稳的稳压效果。该器件的电压容差控制在±5%以内，保证了批次间的一致性，便于批量生产和自动化校准。SOD-323封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导能力，使器件在连续工作状态下仍能保持较低温升。此外，MMSZ5248B-7-F具有正温度系数（约+6mV/°C），这一特性可用于补偿其他负温度系数元件的漂移，常被用作精密模拟电路中的温度补偿基准源。器件通过AEC-Q101可靠性认证，适用于汽车电子系统中的传感器供电、MCU参考电压等关键节点。内部结构经过优化设计，具备较强的抗静电能力和瞬态脉冲耐受性，可承受IEC 61000-4-2 Level 2级别的ESD冲击，增强了系统的鲁棒性。所有金属化层均采用无铅工艺，符合现代环保标准，支持回流焊和波峰焊等多种装配方式。
　　此外，MMSZ5248B-7-F在高频噪声抑制方面也有出色表现，因其寄生电容较小（典型值约70pF），可在射频前端电路或高速逻辑电路中作为噪声旁路元件使用。其宽泛的工作温度范围（-65°C至+150°C）使其能在极端高低温环境中稳定运行，适用于工业控制、户外通信设备及车载电子等领域。整体来看，这款齐纳二极管将小型化、低功耗、高精度和高可靠性集于一身，是替代传统通孔式稳压二极管的理想选择。

MMSZ5248B-7-F广泛应用于各类需要稳定参考电压或过压保护的小型化电子设备中。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，它常被用于为传感器、音频编解码器或显示屏偏置电路提供精确的13V参考电压。在电源管理系统中，该器件可用于反馈环路中的电压采样点稳压，确保DC-DC转换器或LDO的输出精度。在工业自动化控制系统中，MMSZ5248B-7-F可作为模拟前端信号调理电路的钳位元件，防止输入信号超出ADC的量程范围。在通信模块中，它可用于保护敏感的RF接口免受静电放电（ESD）或电压浪涌的影响，提高系统可靠性。此外，在汽车电子领域，该器件适用于车身控制模块、车载信息娱乐系统及电池管理系统中的电压监测单元，为其提供可靠的基准源。由于其具备良好的温度稳定性，也可用于温度补偿电路中，配合热敏电阻或其他温度敏感元件进行线性化处理。在嵌入式微控制器单元（MCU）系统中，MMSZ5248B-7-F常作为复位电路或看门狗定时器的电压检测元件，当供电电压异常下降时触发系统复位，保障运行安全。其SOD-323封装特别适合高密度PCB布局，尤其适用于多层板和微型化设计场景。总之，该器件凭借其小型化、高精度和高可靠性，已成为现代电子系统中不可或缺的基础元器件之一。

MMSZ5248B-TP
　　MMSZ5248B-7
　　PME360B13,115
　　ZMM13-Z