时间：2025/5/24 20:05:54
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FV42X471K302EFG 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，属于 N 沟道增强型场效应晶体管。该器件采用先进的制造工艺设计，具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电源管理、电机驱动、工业控制以及消费电子领域。
其封装形式为 DPAK（TO-252），适合表面贴装技术（SMT），从而提高了电路板的可靠性和组装效率。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：40A
导通电阻：3.5mΩ
总功耗：115W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
栅极电荷：28nC
反向恢复时间：40ns
FV42X471K302EFG 的主要特点是其卓越的电气性能和高可靠性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少功率损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度，能够适应高频应用场景，降低电磁干扰。
3. 高额定电流和耐压能力，使其在大功率应用中表现出色。
4. 采用无铅环保材料，符合 RoHS 标准。
5. 封装设计优化散热路径，确保长时间稳定运行。
此外，这款 MOSFET 还具有优异的抗静电能力和热稳定性，适用于各种恶劣的工作环境。
FV42X471K302EFG 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流器。
2. 直流无刷电机（BLDC）驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
4. 电动汽车及混合动力汽车中的电池管理系统。
5. 充电器、适配器和逆变器等便携式设备电源解决方案。
6. LED 照明驱动和高亮度灯条控制。
由于其出色的性能指标，FV42X471K302EFG 成为许多高功率密度设计的理想选择。
FV42X471K301EFG, IRFZ44N, FDP5570N
