AON7520是东芝(Toshiba)推出的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合应用于各种需要高效能、低损耗的场景中,如DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关等。
AON7520以其出色的电气性能和可靠性著称,在中小功率应用领域表现优异。此外,其紧凑的封装形式也有助于节省PCB空间,满足现代电子产品对小型化和高效化的需求。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±10V
连续漏极电流:48A
导通电阻:2.6mΩ(典型值,Vgs=10V时)
总功耗:20W
结温范围:-55℃至175℃
AON7520是一款专为高性能应用设计的MOSFET,主要特性如下:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高瞬态电流能力,可承受高达48A的持续漏极电流。
3. 快速开关特性,能够有效减少开关损耗。
4. 采用TO-263-3L(DPAK)封装,具备良好的散热性能和机械稳定性。
5. 工作温度范围广,适应多种环境条件下的应用需求。
6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
AON7520广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 各类负载开关设计。
4. 电机驱动与控制电路。
5. 电池保护及管理系统。
6. 其他需要高效功率转换和控制的应用场景。
AO3400A, IRFZ44N, FDN367AN