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H5AN8G6NDJR-VKC 发布时间 时间:2025/9/2 7:16:32 查看 阅读:6

H5AN8G6NDJR-VKC 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高密度、低功耗的NAND闪存芯片。该芯片专为移动设备、嵌入式系统以及需要高存储容量和快速数据存取的应用设计。其采用先进的制造工艺,具备高性能和高可靠性,适用于智能手机、平板电脑、固态硬盘(SSD)以及其他便携式电子产品。

参数

型号:H5AN8G6NDJR-VKC
  容量:8GB
  封装类型:BGA
  接口类型:ONFI 3.0 / Toggle Mode 2.0
  工作电压:1.8V / 3.3V
  数据读取速度:最高533MB/s
  数据写入速度:最高16000次编程/擦除周期
  存储温度:-40°C ~ +85°C

特性

H5AN8G6NDJR-VKC 是一款支持Toggle Mode 2.0接口的NAND闪存芯片,其高速接口协议允许数据在时钟的上升沿和下降沿都进行传输,从而显著提升传输速率。该芯片支持ONFI 3.0和Toggle Mode 2.0两种接口模式,兼容多种主控方案,具有良好的系统集成能力。
  该芯片采用先进的TLC(Triple-Level Cell)技术,每个存储单元可以存储3位数据,从而实现更高的存储密度。相比传统的MLC和SLC技术,TLC技术在成本和容量方面具有优势,但同时也对主控芯片的纠错能力提出了更高要求。H5AN8G6NDJR-VKC内置ECC(Error Correction Code)机制,能够在一定程度上弥补TLC技术的不足,提高数据可靠性。
  此外,该芯片支持坏块管理、磨损均衡(Wear Leveling)等高级功能,能够有效延长使用寿命并提高系统的稳定性。H5AN8G6NDJR-VKC的工作电压为1.8V和3.3V双电压供电,适合低功耗应用场景。其BGA封装形式具有良好的散热性能和稳定性,适用于紧凑型设备设计。

应用

H5AN8G6NDJR-VKC 主要用于需要大容量存储和低功耗的嵌入式系统和移动设备。典型应用包括中高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、车载娱乐系统、工业控制设备以及便携式医疗设备等。该芯片的高存储密度和高速接口特性使其适用于操作系统存储、应用程序运行空间、多媒体数据缓存等多种场景。
  在智能手机领域,H5AN8G6NDJR-VKC 可作为eMMC或UFS存储方案的替代或补充,用于存储系统固件、用户数据和应用程序。在工业控制设备中,该芯片可作为高可靠性存储介质,用于记录设备运行数据、配置信息和日志文件。此外,该芯片还可用于嵌入式开发板和物联网(IoT)设备中,为系统提供稳定可靠的存储支持。

替代型号

H5AN8G6NDJR-VKC 的替代型号包括三星的 K9LCG08U7M-BGCBO 和美光的 MT29F64G90CMCBB。这些型号在容量、接口类型和性能方面与 H5AN8G6NDJR-VKC 类似,可根据具体应用需求进行选型替换。

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