时间：2025/9/2 7:16:32
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H5AN8G6NDJR-VKC 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、低功耗的NAND闪存芯片。该芯片专为移动设备、嵌入式系统以及需要高存储容量和快速数据存取的应用设计。其采用先进的制造工艺，具备高性能和高可靠性，适用于智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）以及其他便携式电子产品。
型号：H5AN8G6NDJR-VKC
容量：8GB
封装类型：BGA
接口类型：ONFI 3.0 / Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V / 3.3V
数据读取速度：最高533MB/s
数据写入速度：最高16000次编程/擦除周期
存储温度：-40°C ~ +85°C
H5AN8G6NDJR-VKC 是一款支持Toggle Mode 2.0接口的NAND闪存芯片，其高速接口协议允许数据在时钟的上升沿和下降沿都进行传输，从而显著提升传输速率。该芯片支持ONFI 3.0和Toggle Mode 2.0两种接口模式，兼容多种主控方案，具有良好的系统集成能力。
该芯片采用先进的TLC（Triple-Level Cell）技术，每个存储单元可以存储3位数据，从而实现更高的存储密度。相比传统的MLC和SLC技术，TLC技术在成本和容量方面具有优势，但同时也对主控芯片的纠错能力提出了更高要求。H5AN8G6NDJR-VKC内置ECC（Error Correction Code）机制，能够在一定程度上弥补TLC技术的不足，提高数据可靠性。
此外，该芯片支持坏块管理、磨损均衡（Wear Leveling）等高级功能，能够有效延长使用寿命并提高系统的稳定性。H5AN8G6NDJR-VKC的工作电压为1.8V和3.3V双电压供电，适合低功耗应用场景。其BGA封装形式具有良好的散热性能和稳定性，适用于紧凑型设备设计。
H5AN8G6NDJR-VKC 主要用于需要大容量存储和低功耗的嵌入式系统和移动设备。典型应用包括中高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、车载娱乐系统、工业控制设备以及便携式医疗设备等。该芯片的高存储密度和高速接口特性使其适用于操作系统存储、应用程序运行空间、多媒体数据缓存等多种场景。
在智能手机领域，H5AN8G6NDJR-VKC 可作为eMMC或UFS存储方案的替代或补充，用于存储系统固件、用户数据和应用程序。在工业控制设备中，该芯片可作为高可靠性存储介质，用于记录设备运行数据、配置信息和日志文件。此外，该芯片还可用于嵌入式开发板和物联网（IoT）设备中，为系统提供稳定可靠的存储支持。
H5AN8G6NDJR-VKC 的替代型号包括三星的 K9LCG08U7M-BGCBO 和美光的 MT29F64G90CMCBB。这些型号在容量、接口类型和性能方面与 H5AN8G6NDJR-VKC 类似，可根据具体应用需求进行选型替换。
