您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GJM1555C1H1R2CB01D

GJM1555C1H1R2CB01D 发布时间 时间:2025/6/6 9:40:29 查看 阅读:6

GJM1555C1H1R2CB01D是一款高性能的射频放大器芯片,专为无线通信系统设计。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具有低噪声、高增益和宽频带的特点,适用于多种射频应用场合。
  其内置了匹配网络和偏置电路,可以简化设计并提高系统的稳定性和可靠性。此外,该芯片还支持低功耗模式,使其非常适合便携式设备和电池供电的应用场景。

参数

型号:GJM1555C1H1R2CB01D
  类型:射频放大器
  工作频率范围:800 MHz - 6000 MHz
  增益:15 dB
  噪声系数:1.2 dB
  输出功率(1 dB增益压缩点):20 dBm
  电源电压:3.3 V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:QFN 4x4 mm
  输入匹配阻抗:50 Ω
  输出匹配阻抗:50 Ω
  电流消耗:200 mA

特性

GJM1555C1H1R2CB01D的主要特性包括:
  1. 高线性度和出色的动态范围性能,能够满足现代通信系统对信号质量的要求。
  2. 内置匹配网络,减少了外部元件的数量和PCB面积占用。
  3. 提供良好的热性能和电磁兼容性(EMC),增强了产品的可靠性和稳定性。
  4. 支持多种电源管理功能,如关断模式和可调增益控制,从而优化功耗和性能之间的平衡。
  5. 宽广的工作频率范围,适应多种无线通信标准,例如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 无线接入点和路由器中的信号放大。
  2. 工业、科学和医疗(ISM)频段的无线电设备。
  3. 智能家居和物联网(IoT)设备中的射频前端模块。
  4. 远程监控系统和传感器网络的数据传输单元。
  5. 手持式设备和其他需要高效射频放大的场景。

替代型号

GJM1555C1H1R2CB02D, GJM1555C1H1R2CB03E

GJM1555C1H1R2CB01D推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

GJM1555C1H1R2CB01D资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

GJM1555C1H1R2CB01D参数

  • 产品培训模块Hi-Q Multilayer Ceramic Capacitors
  • 特色产品High Frequency - High Q Capacitors
  • 标准包装10
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列GJM
  • 电容1.2pF
  • 电压 - 额定50V
  • 容差±0.25pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 尺寸/尺寸0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.022"(0.55mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称490-3085-6