时间：2025/12/28 0:27:18
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FHP100N07是一款由富满电子（FMEX）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等高效率、高频率的电力电子系统中。该器件采用先进的沟槽式硅工艺技术制造，能够在低导通电阻与高开关速度之间实现良好的平衡，从而显著降低导通损耗和开关损耗，提升整体系统能效。FHP100N07的命名遵循常见的MOSFET型号规则，其中'100'代表其最大漏极电流能力，'N'表示N沟道类型，'07'则表明其标称漏源击穿电压为70V左右。该器件通常封装于TO-220、TO-252或PDFN等常见功率封装形式中，具备良好的热稳定性和散热性能，适合在工业控制、消费类电源、LED驱动电源及电池管理系统等多种应用场景中使用。由于其优异的性价比和稳定的电气特性，FHP100N07已成为许多中低端功率应用中的主流选择之一。
型号：FHP100N07
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：70V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A（@TC=25℃）
脉冲漏极电流（IDM）：320A
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（@VGS=10V, ID=50A）
导通电阻（RDS(on)）：6.0mΩ（@VGS=4.5V, ID=50A）
阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：6800pF（@VDS=25V）
输出电容（Coss）：950pF（@VDS=25V）
反向恢复时间（trr）：典型值30ns
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +175℃
封装形式：TO-220/TO-252/DPAK/PDFN
FHP100N07采用了先进的沟道设计与低电阻源极连接技术，使其在大电流条件下仍能保持极低的导通电阻，有效减少功率损耗并提高系统效率。其RDS(on)在VGS=10V时仅为4.5mΩ，在同类70V N沟道MOSFET中处于领先水平，这意味着在高负载工况下能够显著降低发热，提升系统的可靠性与稳定性。该器件具备优良的开关特性，输入电容和输出电容经过优化设计，使得其在高频开关应用中表现出较低的驱动损耗和较快的响应速度，适用于高达数百kHz甚至更高频率的PWM控制电路。此外，FHP100N07的栅极阈值电压范围合理，兼容标准逻辑电平驱动信号，可直接由微控制器或专用驱动IC驱动，无需额外升压电路，简化了外围设计。
FHP100N07具有出色的热性能和鲁棒性，能够承受瞬态过流和电压冲击，内置的体二极管具备较快的反向恢复特性，减少了在感性负载切换过程中的能量损耗与电压尖峰风险。器件的雪崩能量承受能力较强，增强了在异常工况下的安全裕度。其宽泛的工作结温范围（-55℃至+175℃）使其适用于严苛环境下的工业级应用。同时，产品通过了多项国际安规与环保认证，符合RoHS和REACH标准，确保绿色制造与可持续使用。由于采用成熟的大规模生产工艺，FHP100N07在批次一致性与长期供货方面表现良好，是替代进口品牌如Infineon、ON Semiconductor同规格产品的理想国产化选项。
FHP100N07凭借其高电流承载能力、低导通电阻和优良的开关性能，广泛应用于各类中高功率电源系统中。典型应用包括：开关模式电源（SMPS），尤其是在AC-DC适配器、服务器电源和通信电源中作为主开关管或同步整流管；DC-DC降压变换器（Buck Converter）中用于高效能量转换，特别适用于大电流输出场景如CPU供电、显卡供电模块；电机驱动电路，如电动工具、无人机电调、电动自行车控制器等，作为H桥或半桥结构中的功率开关元件；LED恒流驱动电源中实现精确调光与高效供电；此外，还常用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关、逆变器输出级以及各类工业自动化设备的功率控制单元。由于其封装形式多样，既支持通孔安装也支持表面贴装，因此可灵活适配不同PCB布局需求，适用于从消费类电子产品到工业级设备的广泛应用场景。
AP100N07P, FP100N07, SHP100N07
