型号：UT100N04
　　封装：TO-252
　　极性：N沟道
　　漏源电压(Vds)：40V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：100A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流(Idm)：400A
　　导通电阻(Rds(on))：2.8mΩ @ Vgs=10V, Id=50A
　　导通电阻(Rds(on))：3.6mΩ @ Vgs=4.5V, Id=50A
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：约7000pF @ Vds=20V, Vgs=0V
　　输出电容(Coss)：约1900pF @ Vds=20V, Vgs=0V
　　反向恢复时间(trr)：约30ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　热阻结到壳(Rth(j-c))：约0.6℃/W

UT100N04采用先进的沟槽式MOSFET工艺，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了在大电流应用中的功率损耗。其典型Rds(on)仅为2.8mΩ（在Vgs=10V时），这使得器件在高负载条件下仍能保持较低的温升，提高了系统的整体能效。这种低导通电阻特性特别适用于电池供电设备、大电流开关电源和同步整流电路中，能够有效延长电池续航时间并提升转换效率。
　　该器件具备优良的开关特性，输入电容Ciss约为7000pF，在高频开关应用中表现出较低的驱动损耗。同时，其输出电容Coss和反馈电容Crss较小，有助于减少开关过程中的能量损失，提升电源系统的开关频率上限。这对于现代高密度、高效率的DC-DC变换器尤为重要。此外，UT100N04的栅极阈值电压在2.0V至3.0V之间，支持3.3V甚至更低电压的逻辑信号直接驱动，兼容大多数微控制器和PWM控制芯片的输出电平，无需额外的电平转换电路。
　　UT100N04具有出色的热稳定性和可靠性，采用TO-252封装，具有良好的热传导性能，能够通过PCB上的铜箔快速将热量散发出去。其最大工作结温可达+175℃，适合在高温环境下长期运行。器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力和短路耐受能力，提升了在异常工况下的安全性。此外，该MOSFET还具有较低的栅极电荷Qg，进一步降低了驱动功耗，有利于提高系统效率。
　　在制造工艺方面，UT100N04符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于各类商业和工业级产品。其高度集成的设计减少了外围元件数量，简化了电路布局，有助于缩小产品体积并降低成本。综合来看，UT100N04是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率、尺寸和成本有严格要求的应用场景。

UT100N04广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适合需要高效能、大电流切换能力的场合。常见应用包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、DC-DC降压或升压转换器，其中作为主开关管或同步整流管使用，能够显著降低导通损耗，提升转换效率。在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于充放电回路的通断控制，凭借其低Rds(on)特性减少发热，提高系统安全性与续航能力。
　　在电机驱动领域，UT100N04常用于H桥或半桥拓扑结构中，作为功率开关元件驱动直流电机、步进电机等负载，适用于电动工具、家用电器和小型工业设备。其快速开关响应和低栅极驱动需求使其非常适合由MCU直接控制的智能驱动模块。
　　此外，该器件也广泛用于LED驱动电源、笔记本电脑电源模块、服务器电源单元以及通信设备中的电压调节模块（VRM）。在这些应用中，高频开关性能和低输出电容有助于减少电磁干扰（EMI）并提升动态响应速度。
　　由于其TO-252封装便于焊接和散热，UT100N04也常被用于需要表面贴装工艺的大批量电子产品生产中，如电视电源板、显示器背光驱动、USB PD快充模块等。其高电流承载能力和稳定的电气参数确保了长时间运行的可靠性，是现代电源设计中理想的中低压N沟道MOSFET选择之一。

AP100N04P-HF
　　SGM2304N<