时间：2025/5/22 18:56:28
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HGTG20N60B3 是一款基于超结（Super Junction）技术的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于高电压、高效率的应用场景，例如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及逆变器等。其设计旨在提供低导通电阻和快速开关性能，从而降低功耗并提高系统效率。
这款 MOSFET 的最大漏源极耐压为 600V，使其非常适合在高压环境中使用。同时，它的导通电阻较低，能够有效减少传导损耗。
最大漏源极电压：600V
连续漏极电流：20A
导通电阻（典型值）：150mΩ
栅极-源极电压（最大值）：±20V
总电荷量（Qg）：80nC
反向传输电容（Crss）：45pF
开关速度：快速
封装形式：TO-247
HGTG20N60B3 具有以下显著特性：
1. 超结技术的应用使得该 MOSFET 在保持高电压耐受能力的同时，实现了更低的导通电阻和更小的寄生电容，从而提高了整体效率。
2. 快速开关特性降低了开关损耗，适合高频应用。
3. 低反向恢复电荷和体二极管优化设计，有助于减少振荡和电磁干扰问题。
4. 极高的雪崩击穿能力和鲁棒性，确保在异常条件下依然可靠工作。
5. 工业标准 TO-247 封装，便于集成到各种电路设计中。
HGTG20N60B3 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动与控制，如无刷直流电机（BLDC）和步进电机。
3. 太阳能逆变器及储能系统中的功率转换模块。
4. 高效 LED 驱动电路。
5. 各种工业自动化设备中的功率管理单元。
6. 电动车充电基础设施中的功率开关元件。
HGTG20N60D3, IRFP460, FDP18N60C
