HGTG20N60B3 是一款基于超结(Super Junction)技术的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于高电压、高效率的应用场景,例如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及逆变器等。其设计旨在提供低导通电阻和快速开关性能,从而降低功耗并提高系统效率。
这款 MOSFET 的最大漏源极耐压为 600V,使其非常适合在高压环境中使用。同时,它的导通电阻较低,能够有效减少传导损耗。
最大漏源极电压:600V
连续漏极电流:20A
导通电阻(典型值):150mΩ
栅极-源极电压(最大值):±20V
总电荷量(Qg):80nC
反向传输电容(Crss):45pF
开关速度:快速
封装形式:TO-247
HGTG20N60B3 具有以下显著特性:
1. 超结技术的应用使得该 MOSFET 在保持高电压耐受能力的同时,实现了更低的导通电阻和更小的寄生电容,从而提高了整体效率。
2. 快速开关特性降低了开关损耗,适合高频应用。
3. 低反向恢复电荷和体二极管优化设计,有助于减少振荡和电磁干扰问题。
4. 极高的雪崩击穿能力和鲁棒性,确保在异常条件下依然可靠工作。
5. 工业标准 TO-247 封装,便于集成到各种电路设计中。
HGTG20N60B3 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动与控制,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机。
3. 太阳能逆变器及储能系统中的功率转换模块。
4. 高效 LED 驱动电路。
5. 各种工业自动化设备中的功率管理单元。
6. 电动车充电基础设施中的功率开关元件。
HGTG20N60D3, IRFP460, FDP18N60C