您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HGTG20N60B3

HGTG20N60B3 发布时间 时间:2025/5/22 18:56:28 查看 阅读:16

HGTG20N60B3 是一款基于超结(Super Junction)技术的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于高电压、高效率的应用场景,例如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及逆变器等。其设计旨在提供低导通电阻和快速开关性能,从而降低功耗并提高系统效率。
  这款 MOSFET 的最大漏源极耐压为 600V,使其非常适合在高压环境中使用。同时,它的导通电阻较低,能够有效减少传导损耗。

参数

最大漏源极电压:600V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻(典型值):150mΩ
  栅极-源极电压(最大值):±20V
  总电荷量(Qg):80nC
  反向传输电容(Crss):45pF
  开关速度:快速
  封装形式:TO-247

特性

HGTG20N60B3 具有以下显著特性:
  1. 超结技术的应用使得该 MOSFET 在保持高电压耐受能力的同时,实现了更低的导通电阻和更小的寄生电容,从而提高了整体效率。
  2. 快速开关特性降低了开关损耗,适合高频应用。
  3. 低反向恢复电荷和体二极管优化设计,有助于减少振荡和电磁干扰问题。
  4. 极高的雪崩击穿能力和鲁棒性,确保在异常条件下依然可靠工作。
  5. 工业标准 TO-247 封装,便于集成到各种电路设计中。

应用

HGTG20N60B3 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动与控制,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机。
  3. 太阳能逆变器及储能系统中的功率转换模块。
  4. 高效 LED 驱动电路。
  5. 各种工业自动化设备中的功率管理单元。
  6. 电动车充电基础设施中的功率开关元件。

替代型号

HGTG20N60D3, IRFP460, FDP18N60C

HGTG20N60B3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

HGTG20N60B3资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

HGTG20N60B3参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装150
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2V @ 15V,20A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)40A
  • 功率 - 最大165W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件