ETF3072299-OL 是一款高性能的 N 沣道晶体管(N-Channel MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。该器件采用了先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
该型号主要特点在于其优化的漏源导通电阻 (Rds(on)) 和出色的 ESD 防护能力,能够显著提高系统效率并减少功率损耗。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压 Vds:30V
最大栅源电压 Vgs:±20V
连续漏极电流 Id:72A
脉冲漏极电流:144A
导通电阻 Rds(on):2.5mΩ
总栅极电荷 Qg:68nC
输入电容 Ciss:2450pF
输出电容 Coss:180pF
反向恢复时间 Tr:28ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
ETF3072299-OL 的设计重点在于提供高效能和高可靠性,适用于需要大电流和快速开关的应用场景。
1. 极低的导通电阻 (2.5mΩ),能够在高电流条件下降低功耗,提升整体系统效率。
2. 脉冲电流能力高达 144A,确保在短时过载或瞬态情况下依然保持稳定运行。
3. 快速开关特性(总栅极电荷为 68nC。
4. 工作温度范围宽广 (-55℃ 至 +175℃),使其适合各种恶劣环境下的工业和汽车应用。
5. 封装采用 TO-247 标准形式,具备良好的散热性能,同时易于安装和维护。
ETF3072299-OL 因其强大的电气特性和可靠性,广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关元件。
2. 电动车辆 (EV/HEV) 的逆变器模块和电池管理系统 (BMS)。
3. 工业电机驱动中的功率级控制。
4. 大功率 LED 驱动电路。
5. 各类负载开关和保护电路。
6. DC-DC 转换器和 PFC(功率因数校正)电路。
该产品凭借其卓越性能,成为许多高要求应用场景的理想选择。
IRF740,
STP75NF06,
FDP55N06L,
IXYS: IXFK70N06T2