VJ0402D300KLAAC 是一种基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,专为高频开关应用而设计。该器件采用增强型 GaN HEMT 技术制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高电源转换效率。其封装形式为表面贴装类型,适合用于高密度电路板设计。
由于其出色的性能,该器件被广泛应用于通信电源、服务器电源、适配器以及电动汽车充电设备等领域。
型号:VJ0402D300KLAAC
类型:GaN 功率晶体管
导通电阻(Rds(on)):30 mΩ
额定电压(Vds):650 V
额定电流(Id):15 A
栅极阈值电压(Vgs(th)):2.0 V - 4.0 V
最大工作结温:-55°C 至 +175°C
封装形式:DFN8
VJ0402D300KLAAC 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(30 mΩ),有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关速度,可实现高频操作,从而减少无源元件体积和系统尺寸。
3. 高耐压能力(650 V),使其适用于各种高压应用场景。
4. 超低栅极电荷和输出电荷,进一步优化了动态性能。
5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
6. 内置 ESD 保护功能,增强了器件的抗静电能力。
这些特点使得该器件非常适合需要高性能和高效率的电力电子应用。
VJ0402D300KLAAC 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率因数校正(PFC)级。
2. DC-DC 转换器,包括同步整流和半桥拓扑结构。
3. 通信基站电源,提供高效且可靠的直流供电。
4. 数据中心服务器电源,以满足高负载需求。
5. 消费类电子产品适配器,如笔记本电脑和智能手机快充。
6. 新能源汽车充电桩,助力绿色出行。
7. 工业自动化设备中的驱动电源和控制电路。
凭借其卓越的性能,VJ0402D300KLAAC 成为了众多高要求应用的理想选择。
VJ0402D300KLACC, VJ0402D300KLAAE