PBHV9115Z是一款高压、高侧N沟道功率MOSFET栅极驱动器集成电路,专为工业和汽车应用设计。该器件由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造,具有宽电压工作范围和强大的驱动能力,适用于驱动高侧功率MOSFET或IGBT。PBHV9115Z采用高压工艺制造,能够在高达105V的电源电压下工作,具备较高的可靠性和稳定性。该驱动器集成了欠压锁定(UVLO)、过热保护(OTP)和交叉传导保护等保护功能,以提高系统安全性和耐用性。
供电电压范围:8V ~ 105V
输出驱动能力:最大灌电流/拉电流为±150mA / ±300mA
输入逻辑类型:TTL/CMOS兼容
传播延迟时间:典型值为200ns
工作温度范围:-40°C ~ +150°C
封装形式:SO14(表面贴装)
最高工作电压:105V
PBHV9115Z具备多项关键特性,使其适用于高性能电源和电机控制系统。首先,其高侧驱动能力允许直接控制高侧功率MOSFET,适用于H桥、DC-DC转换器和电机驱动电路等应用场景。其次,该器件采用自举技术(Bootstrap Technique),确保在高电压条件下稳定驱动MOSFET的栅极。
此外,PBHV9115Z内置欠压锁定功能,确保在电源电压不足时自动关闭输出,防止功率器件误操作;同时具备交叉传导保护,防止上下桥臂同时导通导致短路,提升系统安全性。该器件的输入信号具有TTL/CMOS兼容性,便于与微控制器或其他数字控制电路连接。
在热管理方面,PBHV9115Z集成了过热保护功能,当芯片温度超过设定阈值时会自动关闭输出,避免因过热导致的器件损坏。其宽工作温度范围(-40°C至+150°C)使其适用于各种严苛环境,包括汽车电子系统和工业自动化控制设备。
PBHV9115Z广泛应用于需要高压高侧驱动的场合,如电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电机控制器、DC-DC转换器和电池管理系统。在工业领域,该器件常用于电机驱动器、伺服控制系统、工业自动化设备和功率电源模块。
此外,PBHV9115Z适用于H桥驱动电路,可用于控制直流电机的正反转,以及无刷直流电机(BLDC)的换相控制。由于其高可靠性和集成保护功能,该器件也广泛应用于UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
在消费类电子产品中,PBHV9115Z可用于高性能电源管理单元,例如大功率LED照明驱动器、智能家电的电机控制电路等。
TB62208FNG, IRS2104, LM5112