MB8464A-10L 时间：2025/9/23 14:16:30 阅读：8

MB8464A-10L是一款由富士通（Fujitsu）公司生产的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于低功耗、高速的异步SRAM产品系列。该器件采用CMOS技术制造，具有较高的可靠性和稳定性，适用于需要快速数据存取且对功耗有一定要求的应用场景。MB8464A-10L的容量为8K x 8位，即总存储容量为64 Kbit，组织方式为8192个地址，每个地址存储8位数据。该芯片广泛应用于通信设备、工业控制、网络设备以及嵌入式系统中，作为临时数据缓存或程序运行内存使用。其封装形式为标准的28引脚DIP（双列直插式封装），便于在各种PCB设计中进行布局与焊接，同时也支持手工调试和测试环境下的使用。
　　该芯片的工作电压通常为5V±10%，符合TTL电平兼容标准，能够无缝对接多种微控制器、微处理器和逻辑电路。MB8464A-10L具备简单的地址线和数据线接口，控制信号包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），操作时序清晰明了，易于集成到现有系统中。此外，该器件支持商业级和工业级温度范围，确保在不同环境条件下均能稳定运行。尽管随着技术的发展，更高密度和更低功耗的存储器不断涌现，但MB8464A-10L因其成熟的设计、良好的可获得性和稳定性，在一些老旧设备维护和特定工业应用中仍具使用价值。

参数

型号：MB8464A-10L
　　制造商：Fujitsu
　　存储容量：64 Kbit (8K x 8)
　　工作电压：4.5V ~ 5.5V
　　访问时间：100 ns
　　封装类型：28-pin DIP
　　工作温度范围：0°C ~ +70°C (商业级)
　　读取电流：典型值 40 mA
　　待机电流：最大 10 μA
　　接口类型：并行异步
　　输入/输出电平：TTL 兼容
　　写使能时间（tWP）：最小 70 ns
　　地址建立时间（tAS）：最小 30 ns

特性

MB8464A-10L具备出色的高速存取能力，其访问时间仅为100纳秒，能够在高频系统时钟下实现快速的数据读写操作，适用于对响应速度有较高要求的应用场合。该芯片采用CMOS工艺制造，在保证高速性能的同时实现了较低的功耗水平，尤其是在待机模式下，电流消耗可低至10微安，显著延长了电池供电系统的使用寿命。这种低功耗特性使其适合用于便携式设备或需要节能设计的系统中。
　　该器件的另一个重要特性是其高可靠性与抗干扰能力。由于采用了成熟的SRAM架构和稳定的制造工艺，MB8464A-10L在长时间运行过程中表现出极低的故障率，并且对电源波动和电磁干扰具有较强的抵抗能力。其所有输入引脚均内置了静电放电（ESD）保护电路，增强了器件在实际应用中的耐用性。
　　在功能方面，MB8464A-10L提供了标准的三总线结构，包括地址总线（A0-A12）、数据总线（I/O0-I/O7）以及控制总线（CE、OE、WE），使得其可以方便地与各种微处理器和控制器连接。片选（CE）信号支持低电平有效的多芯片级联配置，允许多片SRAM组合扩展存储空间；而输出使能（OE）和写使能（WE）信号则分别控制读操作和写操作的执行时机，确保数据传输的准确性和安全性。
　　此外，该芯片在制造过程中遵循严格的品质控制标准，通过了多项工业认证，适用于工业自动化、电信基础设施等对长期稳定运行有严格要求的领域。虽然当前市场上已有更先进的低电压、小封装SRAM产品，但由于MB8464A-10L具备良好的通用性和广泛的配套资源，仍在许多存量项目和维修替换中发挥着重要作用。

应用

MB8464A-10L广泛应用于各类需要中等容量、高速度静态存储器的电子系统中。其典型应用场景包括工业控制系统中的PLC（可编程逻辑控制器）模块，用于暂存实时采集的数据或中间运算结果；在网络通信设备如路由器、交换机中作为帧缓冲区或协议处理缓存，提升数据包处理效率。
　　在测试与测量仪器领域，该芯片常被用作数据采集系统的临时存储单元，配合ADC和DSP协同工作，实现高速信号的连续采集与预处理。同时，它也常见于医疗电子设备中，例如监护仪、超声成像设备等，用于存储临时生理信号数据或图形缓存信息。
　　由于其TTL电平兼容性和5V工作电压，MB8464A-10L非常适合与传统的8位或16位微控制器（如8051、Z80、68HC11等）配合使用，因此在教育实验平台、单片机开发板和嵌入式教学系统中也有广泛应用。
　　此外，在航空航天和军事电子设备的老旧型号维护中，MB8464A-10L因其长期供货记录和高可靠性，常被用于备件替换和系统升级。尽管现代设计更多转向低电压、小型化存储方案，但在需要兼容原有硬件架构的升级改造项目中，该芯片仍然是一个可靠的选择。