时间：2025/6/20 12:26:01
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GJM0335C1HR90WB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高效率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，能够在高电流和高频条件下提供卓越的性能。
该型号属于沟道增强型MOSFET，其设计旨在优化系统能效并降低功耗，同时提供更高的可靠性和稳定性。
最大漏源电压：60V
持续漏极电流：35A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：78nC
开关速度：40ns
结温范围：-55℃ to 175℃
GJM0335C1HR90WB01D 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少传导损耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场合。
3. 内置反向恢复二极管，可显著改善开关性能。
4. 出色的热稳定性，允许在高温环境下长时间工作。
5. 小型化封装设计，便于PCB布局和安装。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
该芯片广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)。
2. 工业级电机驱动控制。
3. 电动车及混合动力汽车中的逆变器模块。
4. LED驱动器和高亮度照明解决方案。
5. 太阳能微逆变器与储能系统。
6. 快速充电适配器和其他便携式电子设备的电源管理部分。
GJM0335C1HR80WB01D, GJM0335C1HR70WB01D
