时间：2025/9/14 16:42:08
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PBSS4160PANSX是一款由Nexperia（安世半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高可靠性的功率转换应用，具备低导通电阻（RDS(on)）和优良的热性能。该MOSFET采用先进的Trench MOSFET技术，具有优异的开关特性和高电流承载能力。封装形式为DFN2020-6（SOT1223），适合用于空间受限的高密度电路设计。PBSS4160PANSX广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：8.0A
漏源导通电阻（RDS(on)）：最大值16mΩ @ VGS = 10V
栅极电荷（Qg）：11.3nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：DFN2020-6（SOT1223）
PBSS4160PANSX采用了先进的Trench MOSFET技术，具备非常低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力，能够支持高达8A的连续漏极电流，适合用于高功率密度的设计。该MOSFET的栅极电荷较低，有助于提高开关速度并降低开关损耗，适用于高频开关应用。其DFN2020-6封装不仅体积小巧，而且具备优良的热管理性能，能有效散发工作过程中产生的热量，从而提升器件的稳定性和可靠性。此外，PBSS4160PANSX具有宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），可在极端环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子、通信设备等对可靠性要求较高的应用场合。该器件还符合RoHS标准，具有环保和无卤素的特性，适用于绿色电子产品的设计。
PBSS4160PANSX适用于多种功率管理应用，包括但不限于DC-DC转换器、负载开关、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业自动化设备、便携式电子设备的电源管理模块等。由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET在高效能电源转换系统中表现出色。
SiSS16DN, BSC016N06NS5, IPB016N06N3, PMV39PNX
