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MMBC1623L7 发布时间 时间:2025/8/16 15:47:45 查看 阅读:8

MMBC1623L7 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的双极型晶体管(BJT)阵列器件,包含多个NPN晶体管,专为高频放大和开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有优异的电气性能和可靠性,适用于射频(RF)和模拟电路中的多级放大、信号处理和驱动电路等应用场景。MMBC1623L7 采用小型化的表面贴装封装(SOT-23),适合现代电子设备中对空间和性能有较高要求的设计。

参数

晶体管类型:NPN 双极型晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):30V
  集电极-基极电压(VCBO):30V
  发射极-基极电压(VEBO):3V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):200mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  过渡频率(fT):100MHz
  电流增益带宽积(fT):100MHz
  电流增益(hFE):110-800(根据等级不同)
  封装类型:SOT-23

特性

MMBC1623L7 具备多项优异的电气特性和设计优势,首先其高频性能出色,过渡频率(fT)高达100MHz,使得该器件在射频放大和高速开关应用中表现出色。此外,MMBC1623L7 内部集成了多个NPN晶体管,允许设计人员构建多级放大电路或复杂的模拟信号处理电路,而无需使用多个独立晶体管,从而简化了PCB布局并提高了电路的集成度和可靠性。
  该器件的电流增益(hFE)范围宽广,通常在110至800之间,具体数值取决于工作电流和温度条件,这使得它能够适应多种放大需求,包括小信号放大和中等功率驱动应用。MMBC1623L7 的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))较低,确保在开关应用中具有较低的导通损耗,提高了整体能效。
  此外,MMBC1623L7 采用SOT-23封装,体积小巧,便于在紧凑型电子设备中使用,同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力。该器件的引脚排列设计合理,有助于降低寄生电容和电感,从而在高频应用中保持良好的性能表现。MMBC1623L7 还具有较宽的工作温度范围(-55°C 至 +150°C),适合在各种环境条件下稳定工作。

应用

MMBC1623L7 主要应用于射频(RF)放大器、高频开关电路、模拟信号处理电路、音频放大器前级、逻辑电平转换电路、驱动器电路以及各类便携式电子产品中的信号放大和控制电路。由于其优异的高频特性,该器件广泛用于无线通信设备中的射频前端放大电路,例如Wi-Fi模块、蓝牙模块、射频收发器等。此外,在工业控制、传感器信号调理、电源管理以及消费类电子产品中也有广泛应用。
  在射频放大应用中,MMBC1623L7 可用于构建多级共射放大电路,提供高增益和低噪声性能;在数字开关电路中,该器件可用于驱动LED、继电器、小型电机等负载;在音频放大器设计中,它可以作为前置放大级或电压驱动级,提供良好的线性度和低失真输出。此外,MMBC1623L7 还可用于构建达林顿对管结构以提高整体电流增益,适用于需要高驱动能力的场合。

替代型号

BC847系列, 2N3904, PN2222A, MMBT3904, MMBT2222

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