时间：2025/7/11 17:16:17
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JSM70N08D是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于功率转换和电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，适合在高效能电源管理方案中使用。其封装形式通常为TO-252（DPAK），具有较高的电流承载能力，并能够在较宽的电压范围内稳定工作。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：19A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：45nC
总电容：2650pF
工作温度范围：-55℃至150℃
JSM70N08D的主要特点是低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。同时，它拥有快速的开关特性，可以有效降低开关损耗。此外，该器件具备良好的热稳定性，在高温环境下依然能够保持稳定的性能表现。
由于采用了先进的半导体技术，JSM70N08D还具有较强的抗雪崩能力，增强了其在突发负载情况下的可靠性。其紧凑的封装设计也使得它非常适合空间受限的应用场景。
JSM70N08D适用于多种电力电子设备，包括但不限于直流-直流转换器、开关模式电源（SMPS）、太阳能逆变器、LED驱动器以及电动工具中的电机控制器等。在这些应用中，它凭借高效的功率处理能力和稳健的设计，成为理想的选择。
此外，它也可以用于电池管理系统（BMS）中的负载开关或保护电路，确保系统运行的安全性和可靠性。
IRF7404
FDP70N08
AON70N08
