时间：2025/8/5 14:58:11
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VMO400-02FLZ 是一种功率MOSFET，由 Vishay Semiconductors 制造。它是一款增强型N沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于高频率和高效率的开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高开关性能，适用于各种工业、汽车和消费类电子应用。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：18A
最大漏极-源极电压（VDS）：40V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：26mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerPAK SO-8
VMO400-02FLZ MOSFET 采用先进的沟槽技术，使其具有非常低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。此外，该器件具有良好的热性能，可在高温环境下稳定运行。其高栅极电荷（Qg）特性使其适用于高频率开关应用，同时保证了较低的开关损耗。该MOSFET还具备高抗雪崩能力，增强了器件在高能应力下的可靠性。PowerPAK SO-8 封装提供了优异的热管理和紧凑的设计，适合在空间受限的应用中使用。
VMO400-02FLZ 还具有出色的耐用性和稳定性，能够在恶劣的工作条件下长期运行。它符合RoHS环保标准，适用于自动化装配工艺。该器件的快速开关能力和低导通电阻使其成为高效电源管理和功率转换应用的理想选择。
该器件广泛应用于同步整流器、DC-DC转换器、电机控制、负载开关、电池管理系统和汽车电子设备。
Si444NQDY-T1-GE3, IRF7413TRPBF, FDS4410AS
