时间：2025/8/20 10:17:06
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GB627HF-AW是一款由Giantec（巨旺）半导体生产的高性能、低功耗同步整流功率MOSFET，主要应用于电源管理和DC-DC转换器领域。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于高效率电源系统。GB627HF-AW采用DFN5x6封装，具有良好的热性能和空间利用率，适合高密度电源设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A
最大漏源电压（VDS）：60V
导通电阻（RDS(on)）：6.2mΩ（典型值）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：DFN5x6
GB627HF-AW具备多项优异特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率，非常适合用于高功率密度应用。其次，该MOSFET采用先进的沟槽技术，提升了开关速度并降低了开关损耗，从而减少了系统整体的能耗。此外，DFN5x6封装提供了良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持器件的稳定运行。
该器件还具有高雪崩能量耐受能力，增强了在复杂工作环境下的可靠性和耐用性。同时，其宽泛的工作温度范围使其适用于各种工业和汽车电子环境。GB627HF-AW还具备良好的抗过载和短路保护能力，进一步提升了系统的稳定性与安全性。
GB627HF-AW广泛应用于各类高效能电源管理系统中，如服务器电源、通信电源、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统等。其高效率、低损耗的特性使其特别适用于高功率密度和高频率开关的应用场景。此外，该MOSFET也适用于各种工业控制设备、电动工具、储能系统以及新能源汽车中的功率转换模块，满足对高可靠性和高性能的严格要求。
SiR120DP-T1-GE3, Nexperia PSMN120-06YLC, Infineon BSC120N06LS
