EP320IPC-35是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用N沟道增强型技术,具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度的特点。其封装形式为TO-263(D2PAK),能够有效降低热阻并提升散热性能。
EP320IPC-35在设计上优化了栅极电荷和输出电容参数,从而降低了开关损耗,提高了整体效率。同时,其坚固的结构和保护机制确保了在恶劣环境下的稳定运行。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:180A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:95nC
开关时间:ton=18ns, toff=25ns
工作温度范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻,能够显著减少传导损耗,提高系统效率。
2. 高电流承载能力,适用于大功率应用场景。
3. 快速开关速度,有效降低开关损耗。
4. 良好的热性能,支持高效散热管理。
5. 强大的抗浪涌能力,保证在极端条件下的可靠性。
6. 封装形式兼容性强,便于PCB布局和焊接工艺。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 大功率LED驱动器中的关键组件。
6. UPS不间断电源中的逆变与整流部分。
IRF3205, FDP18N04L, STP180N04F