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K9F4G08U0B-PIB0 发布时间 时间:2025/6/19 6:03:42 查看 阅读:22

K9F4G08U0B-PIB0 是三星(Samsung)生产的一款 NAND 闪存芯片。该芯片主要用于数据存储,广泛应用于各种电子设备中,如USB闪存盘、存储卡、固态硬盘等。这款芯片采用先进的制造工艺,具有高密度存储能力、低功耗和快速的数据传输速度。

参数

容量:512Mb(64MB)
  接口类型:NAND Flash
  工作电压:3.3V±0.3V
  数据位宽:8位
  封装形式:TSOP48
  工作温度范围:-25°C ~ +85°C
  擦写周期:100,000 次

特性

K9F4G08U0B-PIB0 是一款基于多层单元(MLC)技术的NAND闪存芯片,能够以较低成本提供大容量存储。
  它采用了8位数据总线设计,可以实现高效的数据读写操作,并且具备页模式访问功能,从而提高了整体性能。
  此外,该芯片支持块擦除操作,允许一次性擦除整个存储块,进一步加快了数据管理速度。
  它的低功耗特性使得其非常适合用于便携式电子设备,如数码相机、MP3播放器和移动电话等。
  同时,该芯片具有良好的可靠性和耐用性,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。

应用

K9F4G08U0B-PIB0 主要应用于需要高性能和大容量存储的各种领域,包括但不限于以下方面:
  1. USB闪存盘:为外部存储设备提供快速、可靠的存储解决方案。
  2. 存储卡:如SD卡、MicroSD卡等,适用于数码相机、手机和其他消费电子产品。
  3. 固态硬盘(SSD):作为计算机的主要存储介质,提供更快的数据访问速度和更高的可靠性。
  4. 嵌入式系统:在工业控制、医疗设备、通信设备等领域中用作内置存储解决方案。
  5. 移动设备:如智能手机和平板电脑,满足其对高密度存储的需求。

替代型号

K9F1G08U0A-PIB0,K9F2G08U0B-PIB0

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