类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：650V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：3A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.3Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

QM03N65U采用了先进的沟槽技术，使其在高电压下仍能保持低导通电阻，从而提高电源转换效率。其导通电阻仅为2.3Ω，在Vgs=10V时可提供较低的功率损耗，从而减少发热并提高系统可靠性。该器件支持高达3A的连续漏极电流，适用于需要高电流能力的功率应用。
　　此外，QM03N65U具备高耐压特性，漏极-源极电压最大可达650V，适合用于高电压环境下的功率管理。栅极-源极电压为±20V，使其能够在较宽的控制电压范围内稳定工作，同时具有较好的抗过压能力。
　　该MOSFET采用TO-220封装，便于散热和安装，适用于多种电源设计和工业控制系统。其工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在恶劣的环境条件下稳定运行，确保长期可靠性。
　　由于其低开关损耗和高频工作能力，QM03N65U广泛应用于高效率的开关电源、负载开关、马达控制和工业自动化设备中，满足对高效能和高稳定性的要求。

QM03N65U广泛应用于各种电源管理系统和高电压电子设备中。该器件特别适用于高效率的开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统和负载开关电路。由于其高耐压和低导通电阻特性，该MOSFET在高电压输入条件下依然能够保持稳定的性能，适用于通信电源、服务器电源和工业控制系统。
　　此外，QM03N65U也适用于马达控制和功率因数校正（PFC）电路，能够有效提高系统的能量转换效率。在汽车电子和新能源应用中，该器件可作为功率开关使用，支持高效能和高可靠性的设计需求。该MOSFET的高稳定性和宽温度范围特性，使其在高温或低温环境中依然能够正常运行，适用于工业自动化设备、智能电网设备和家用电器的功率控制部分。

SiHF65N65EF, FQA3N65S, STW4N65M2