GA1812Y563MXBAT31G 是一款高性能的表面贴装陶瓷电容器,采用多层陶瓷工艺制造。该型号具有高可靠性和稳定性,广泛应用于各种电子设备中,用以提供滤波、耦合和去耦等功能。其结构紧凑,适合高密度电路板设计,同时具备优良的频率特性和低ESR特性。
容量:0.1μF
额定电压:50V
封装类型:1812
公差:±10%
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
介质材料:X7R
电感量:低
绝缘电阻:大于10GΩ
GA1812Y563MXBAT31G 的主要特性包括以下几点:
1. 高稳定性:采用X7R介质材料,确保在宽温范围内具有稳定的电容量。
2. 小型化设计:1812封装使其非常适合现代紧凑型电子产品的需求。
3. 低ESR(等效串联电阻):这使得该电容器特别适合高频应用,如电源滤波和信号耦合。
4. 宽温度范围:能够在极端温度条件下保持性能,适用于工业和汽车级应用。
5. 高可靠性:通过严格的测试和筛选,保证了长期使用的稳定性和可靠性。
6. 环保无铅:符合RoHS标准,适合绿色产品设计要求。
这款电容器广泛应用于消费类电子产品、通信设备、计算机及外设、工业控制设备以及汽车电子系统中。典型应用场景包括:
1. 电源电路中的滤波和去耦功能。
2. 音频电路中的耦合和旁路。
3. 数据通信接口中的信号完整性处理。
4. 高速数字电路中的噪声抑制。
5. 工业自动化设备中的电源调节和保护。
GA1812Y563MXBAT30G
GA1812Y563MXBAT32G
GRM188R71H104KA88D