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DTC143ZKAT146 发布时间 时间:2025/6/3 14:46:41 查看 阅读:6

DTC143ZKAT146 是一款由 Diodes 公司生产的功率 MOSFET 芯片,采用 TO-252 封装形式。该器件主要用于需要高效开关和低导通电阻的电力电子应用中。其内部结构经过优化设计,具有较低的导通电阻和良好的热性能,适用于各种工业及消费类电子设备中的电源管理电路。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:1.9A
  导通电阻:0.8Ω
  栅极电荷:7nC
  开关速度:快速
  封装形式:TO-252

特性

DTC143ZKAT146 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度能够适应高频操作环境,适合于现代高效能电源转换器。
  3. 高度可靠的封装设计增强了散热能力,从而提高了整体系统的稳定性和耐用性。
  4. 优化的电气性能确保了在各种负载条件下的优异表现。
  5. 符合 RoHS 标准,支持环保要求,同时具备较强的抗静电能力(ESD)以保护芯片免受损坏。

应用

DTC143ZKAT146 广泛应用于多个领域:
  1. 开关电源(SMPS)的设计与制造。
  2. DC/DC 转换器模块,提供高效的电压调节功能。
  3. 各种电机驱动电路,如家用电器中的风扇控制、小型泵驱动等。
  4. LED 照明驱动器,用于精准控制电流输出。
  5. 电池管理系统(BMS),实现对锂电池或其他类型电池组的充放电管理。
  6. 工业自动化设备中的电源管理和信号切换。

替代型号

DTC143ZKAJ146
  DTC143ZKCT146

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DTC143ZKAT146参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装3-SMT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC143ZKAT146TR