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STD80N3LL 发布时间 时间:2025/6/30 13:05:05 查看 阅读:3

STD80N3LL是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,具有低导通电阻和高电流处理能力,适合于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效能功率管理的应用场景。
  这款MOSFET的主要特点是其出色的电气性能和可靠性,能够承受较高的漏源电压和较大的持续电流。同时,它具备快速开关速度和较低的栅极电荷,有助于提高系统的效率并降低功耗。

参数

最大漏源电压:45V
  最大>导通电阻(典型值):7.5mΩ
  栅源开启电压:2.5V
  总栅极电荷:65nC
  开关时间:ton=11ns, toff=35ns
  结温范围:-55℃至+150℃

特性

STD80N3LL属于MDmesh? M6系列的功率MOSFET,采用了先进的硅片制造技术以优化其电气性能。
  主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,从而减少了传导损耗。
  2. 快速的开关速度,有助于降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,提高了器件在异常条件下的耐用性。
  4. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
  5. 可靠的热性能表现,使得散热设计更加简便。

应用

由于其卓越的性能,STD80N3LL广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器和充电器。
  2. 直流-直流转换器。
  3. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
  4. 汽车电子设备中的负载切换。
  5. 各种工业控制应用中的功率管理模块。
  此器件凭借其高效的功率处理能力和可靠性,在众多大电流应用场景中表现出色。

替代型号

IRFZ44N
  STP80NF06L
  FDP8890
  IXTK80N4L2

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STD80N3LL参数

  • 现有数量11,988现货
  • 价格1 : ¥7.55000剪切带(CT)2,500 : ¥3.20556卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)80A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.2 毫欧 @ 40A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)18 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1640 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)75W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装D-PAK(TO-252)
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63