STD80N3LL是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,具有低导通电阻和高电流处理能力,适合于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效能功率管理的应用场景。
这款MOSFET的主要特点是其出色的电气性能和可靠性,能够承受较高的漏源电压和较大的持续电流。同时,它具备快速开关速度和较低的栅极电荷,有助于提高系统的效率并降低功耗。
最大漏源电压:45V
最大>导通电阻(典型值):7.5mΩ
栅源开启电压:2.5V
总栅极电荷:65nC
开关时间:ton=11ns, toff=35ns
结温范围:-55℃至+150℃
STD80N3LL属于MDmesh? M6系列的功率MOSFET,采用了先进的硅片制造技术以优化其电气性能。
主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,从而减少了传导损耗。
2. 快速的开关速度,有助于降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,提高了器件在异常条件下的耐用性。
4. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
5. 可靠的热性能表现,使得散热设计更加简便。
由于其卓越的性能,STD80N3LL广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),如适配器和充电器。
2. 直流-直流转换器。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
4. 汽车电子设备中的负载切换。
5. 各种工业控制应用中的功率管理模块。
此器件凭借其高效的功率处理能力和可靠性,在众多大电流应用场景中表现出色。
IRFZ44N
STP80NF06L
FDP8890
IXTK80N4L2