GA1812Y273MXCAT31G 是一款高精度、低功耗的陶瓷电容器,适用于高频滤波和信号调节等场景。该元器件采用了先进的陶瓷介质材料,具备优异的温度稳定性和频率特性,同时体积小巧,适合在紧凑型设计中使用。
此型号中的 GA1812 表示尺寸规格为 18mm x 12mm,而 Y273M 表示其电容值和耐压等级,具体参数详见下方字段。
类型:多层陶瓷电容器
电容值:27pF
额定电压:3kV
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装形式:表面贴装 (SMD)
介质材料:C0G(NP0)类陶瓷
损耗因数:≤0.001(在 1MHz 下测量)
GA1812Y273MXCAT31G 的主要特性包括:
1. 高频性能卓越,特别适合用于射频电路和信号滤波。
2. 温度系数极低,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电容值。
3. 具备高耐压能力,能够承受高达 3kV 的直流电压,增强了其在高压环境下的可靠性。
4. 使用 C0G(NP0 类)陶瓷介质,保证了低损耗和高稳定性。
5. 小型化设计,便于集成到各种小型化电子设备中。
6. 符合 RoHS 标准,环保且无铅,满足国际法规要求。
该电容器广泛应用于以下领域:
1. 射频和微波通信系统中的滤波和耦合功能。
2. 医疗设备中的信号处理与噪声抑制。
3. 工业自动化控制系统的电源滤波及抗干扰保护。
4. 汽车电子领域的点火系统和传感器信号调理。
5. 高速数据传输接口中的阻抗匹配和去耦应用。
6. LED 照明驱动器中的高频滤波元件。
GA1812Y273MXCAT21G
GA1812Y273MXCAT32G
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