GA1812A561GXBAR31G是一款高性能的功率MOSFET器件,基于先进的半导体制造工艺设计。该器件适用于高效率、高频率开关电源应用场合,例如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。其优化的导通电阻和栅极电荷参数能够显著降低功率损耗,同时提高整体系统的效率和可靠性。
这款MOSFET采用标准TO-220封装形式,具备良好的散热性能,并且具有较高的电流处理能力和耐压等级,能够满足多种工业及消费类电子产品的设计需求。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):31A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):75nC
总热阻(θja):50℃/W
工作温度范围:-55℃至150℃
GA1812A561GXBAR31G的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少导通损耗,提升系统效率。
2. 较低的栅极电荷Qg,可实现快速开关,降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 具备ESD保护功能,提高了器件的可靠性和抗干扰能力。
5. 封装形式为标准TO-220,便于安装和维护,同时提供良好的散热性能。
6. 宽泛的工作温度范围,适应多种恶劣环境下的应用需求。
该MOSFET广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流管或主开关管。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载开关和保护电路中的关键元件。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的电池管理与负载切换功能。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP18N60