您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1812A561GXBAR31G

GA1812A561GXBAR31G 发布时间 时间:2025/7/1 6:49:22 查看 阅读:3

GA1812A561GXBAR31G是一款高性能的功率MOSFET器件,基于先进的半导体制造工艺设计。该器件适用于高效率、高频率开关电源应用场合,例如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。其优化的导通电阻和栅极电荷参数能够显著降低功率损耗,同时提高整体系统的效率和可靠性。
  这款MOSFET采用标准TO-220封装形式,具备良好的散热性能,并且具有较高的电流处理能力和耐压等级,能够满足多种工业及消费类电子产品的设计需求。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):31A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):75nC
  总热阻(θja):50℃/W
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

GA1812A561GXBAR31G的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少导通损耗,提升系统效率。
  2. 较低的栅极电荷Qg,可实现快速开关,降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 具备ESD保护功能,提高了器件的可靠性和抗干扰能力。
  5. 封装形式为标准TO-220,便于安装和维护,同时提供良好的散热性能。
  6. 宽泛的工作温度范围,适应多种恶劣环境下的应用需求。

应用

该MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器中的同步整流管或主开关管。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 负载开关和保护电路中的关键元件。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统中的电池管理与负载切换功能。

替代型号

IRFZ44N
  STP36NF06
  FDP18N60

GA1812A561GXBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容560 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-