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IPP120N06S4-03 发布时间 时间:2025/6/4 18:05:24 查看 阅读:5

IPP120N06S4-03是一款由Infineon(英飞凌)生产的高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件属于OptiMOS系列,采用先进的制造工艺以提供卓越的性能和可靠性。它主要用于高频开关应用中,例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及逆变器等领域。
  这款MOSFET具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。此外,其出色的热性能和鲁棒性使其非常适合高功率密度设计。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:120A
  导通电阻(典型值):3.5mΩ
  栅极电荷(典型值):175nC
  开关损耗:低
  封装形式:D2PAK(TO-263-3)

特性

IPP120N06S4-03具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,可减少传导损耗并提高效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适用于高频功率转换应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和抗干扰能力。
  4. 优化的栅极电荷和输出电容,有助于实现高效的开关性能。
  5. 符合RoHS标准,确保环保与安全要求。
  6. 稳定的电气特性和热性能,能够在严苛的工作条件下长期运行。

应用

IPP120N06S4-03广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):包括AC-DC适配器、工业电源等。
  2. DC-DC转换器:用于电动汽车充电设备、通信电源等。
  3. 电机驱动:如家用电器中的高效电机控制。
  4. 太阳能逆变器:在光伏系统中实现高效的能量转换。
  5. UPS(不间断电源)系统:提供可靠且高效的后备电源解决方案。
  6. 工业自动化:为各种工业设备提供精确的功率控制。

替代型号

IPP150N06S4-03, IPP100N06S4-03

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IPP120N06S4-03参数

  • 数据列表IPx120N06S4-03
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.2 毫欧 @ 100A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 120µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs160nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds13150pF @ 25V
  • 功率 - 最大167W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装PG-TO220-3
  • 包装管件
  • 其它名称SP000396380