时间：2025/5/23 0:45:09
阅读：36
F108AAMJ是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，能够在高频应用中提供高效的性能。
这款MOSFET采用TO-252（DPAK）封装形式，适合表面贴装工艺，同时能够满足紧凑设计需求。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：8A
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：30nC
工作温度范围：-55℃ to 150℃
总功耗：1.7W
F108AAMJ的主要特点是低导通电阻和高电流承载能力，这使得它在功率转换应用中表现出色。此外，它的快速开关速度降低了开关损耗，从而提高了整体效率。
该器件还具备良好的热稳定性和抗浪涌能力，可以有效应对瞬态电压和电流冲击。
其TO-252封装形式提供了可靠的机械性能和散热表现，适合需要高可靠性的工业及消费类电子设备。
F108AAMJ适用于多种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源中的同步整流电路
2. DC-DC转换器中的功率开关
3. 电池管理系统中的负载开关
4. 电机驱动电路中的功率级
5. 汽车电子中的继电器替代方案
6. 各种保护电路中的过流保护元件
FDP15N10,
IRFZ44N,
FDS8941
