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F108AAMJ 发布时间 时间:2025/5/23 0:45:09 查看 阅读:17

F108AAMJ是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,能够在高频应用中提供高效的性能。
  这款MOSFET采用TO-252(DPAK)封装形式,适合表面贴装工艺,同时能够满足紧凑设计需求。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻:15mΩ
  栅极电荷:30nC
  工作温度范围:-55℃ to 150℃
  总功耗:1.7W

特性

F108AAMJ的主要特点是低导通电阻和高电流承载能力,这使得它在功率转换应用中表现出色。此外,它的快速开关速度降低了开关损耗,从而提高了整体效率。
  该器件还具备良好的热稳定性和抗浪涌能力,可以有效应对瞬态电压和电流冲击。
  其TO-252封装形式提供了可靠的机械性能和散热表现,适合需要高可靠性的工业及消费类电子设备。

应用

F108AAMJ适用于多种电力电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源中的同步整流电路
  2. DC-DC转换器中的功率开关
  3. 电池管理系统中的负载开关
  4. 电机驱动电路中的功率级
  5. 汽车电子中的继电器替代方案
  6. 各种保护电路中的过流保护元件

替代型号

FDP15N10,
  IRFZ44N,
  FDS8941

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