时间：2025/5/10 18:36:49
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LQP03TG1N5B02D 是一款由罗姆（ROHM）生产的低导通电阻的 N 沣道场效应晶体管（N-MOSFET）。该器件采用小型封装，适合在空间受限的应用中使用。其设计旨在满足高效开关和低功耗的需求，广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域。
该产品具有出色的导通特性和较低的栅极电荷，能够显著减少开关损耗并提高系统的整体效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻（Rds(on)）：47mΩ
栅极电荷：12nC
总电容：195pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：USP-6B
LQP03TG1N5B02D 的主要特点是低导通电阻和高开关速度。它采用了先进的制造工艺，使得其 Rds(on) 值仅为 47mΩ，在高电流应用中可以有效降低功率损耗。
此外，其小型化的 USP-6B 封装非常适合用于对 PCB 空间要求严格的场景。同时，该 MOSFET 的栅极电荷较小，有助于减少开关过程中的能量损失，并提高了系统的工作效率。
由于其耐压能力达到 30V，该器件适用于多种低至中等电压的应用环境，如负载开关、DC-DC 转换器以及电池管理电路等。
LQP03TG1N5B02D 广泛应用于各种需要高效功率转换和开关功能的场景中。例如：
1. 消费电子产品中的负载开关，如智能手机和平板电脑。
2. DC-DC 转换器，用作同步整流或主开关元件。
3. 电池保护电路，实现过流、短路保护等功能。
4. 工业自动化设备中的信号切换和功率调节。
5. LED 驱动器，提供精确的电流控制以确保照明效果的一致性。
LQP03TG1N5B02D-P1
LQP03TG1N5B02D-FP
