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GA1812A560FBAAR31G 发布时间 时间:2025/6/4 13:42:25 查看 阅读:6

GA1812A560FBAAR31G是一款高性能的功率MOSFET器件,基于先进的半导体制造工艺。该芯片主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等高效率电力电子领域。它具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能等特点。
  此型号属于N沟道增强型MOSFET,适用于中高电压应用场景。其优化设计能够显著降低传导损耗和开关损耗,从而提高整体系统效率。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:56A
  导通电阻:0.014Ω
  栅极电荷:75nC
  输入电容:2200pF
  总功耗:150W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA1812A560FBAAR31G具备以下突出特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提升系统效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频应用场合。
  3. 出色的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
  4. 高度耐用的封装结构,提供强大的机械保护。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保无铅设计。
  这些特性使得该芯片成为众多工业及消费类电子产品的理想选择。

应用

这款功率MOSFET广泛用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. 电动工具、家用电器和其他设备中的电机控制。
  3. 新能源汽车充电桩、太阳能逆变器等新能源相关产品。
  4. 各种类型的DC-DC转换器,包括降压、升压以及升降压拓扑结构。
  5. 电池管理系统(BMS)中的充放电保护电路。
  GA1812A560FBAAR31G凭借其卓越的性能表现,在以上应用场景中展现出极高的实用价值。

替代型号

GA1812A560FBAAR31G, IRFP260N, STP55NF06L

GA1812A560FBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容56 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-