时间：2025/6/6 13:42:41
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FN15N120J500PNG是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）制造的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于N沟道增强型MOSFET，具有高击穿电压和低导通电阻的特点。它采用PQFN封装形式，适用于需要高效功率转换和开关的应用场景。
FN15N120J500PNG的设计目标是实现更高效的功率管理，同时降低系统的整体功耗。其工作电压高达1200V，非常适合用于工业电源、太阳能逆变器、电机驱动以及电动车充电系统等高压应用领域。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：15A
导通电阻：4.7mΩ（典型值，在Vgs=15V时）
栅极电荷：90nC（典型值）
反向恢复时间：16ns（典型值）
总功耗：38W
工作温度范围：-55℃至+175℃
FN15N120J500PNG采用了先进的Super Junction技术，从而实现了更高的效率和更低的导通损耗。其主要特性包括：
- 高击穿电压（1200V），适合高压应用场景
- 低导通电阻（4.7mΩ），有助于减少传导损耗
- 快速开关速度，有效降低开关损耗
- 极低的输入电容和输出电容，优化了动态性能
- 增强的热稳定性，能够承受较高的结温
- 小尺寸PQFN封装，节省PCB空间
- 符合RoHS标准，环保且可靠
这款MOSFET广泛应用于多种高压功率转换场景中，具体应用领域包括：
- 工业电源供应器
- 太阳能光伏逆变器
- 不间断电源（UPS）系统
- 电动车车载充电器（OBC）
- 高效DC-DC转换器
- 电机驱动及控制
- PFC（功率因数校正）电路
由于其出色的性能和可靠性，FN15N120J500PNG在要求高效率和紧凑设计的场合表现尤为突出。
FDP15N120B, IRGB1408DPBF, STW93N120K5
