时间：2025/5/30 18:53:38
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NVD5C478NLT4G 是一款由英飞凌（Infineon）推出的高效能 N 沟道功率 MOSFET，采用 SuperSO8 封装。该器件适用于高效率、高密度的开关电源设计以及电机驱动等应用领域。其先进的沟槽式技术确保了低导通电阻和出色的开关性能，能够显著降低功率损耗并提高系统整体效率。
这款 MOSFET 具备较低的栅极电荷和输出电容特性，适合高频操作，并且具备优异的热特性和电气稳定性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：47A
导通电阻（典型值）：4mΩ
栅极电荷（Qg）：25nC
开关频率：高达 1MHz
封装类型：SuperSO8
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
NVD5C478NLT4G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高负载条件下减少功耗。
2. 高效的开关性能得益于低栅极电荷和输出电容。
3. 良好的热稳定性，使其在高温环境下仍能保持高性能。
4. 支持高频操作，满足现代开关电源及逆变器的需求。
5. 紧凑的 SuperSO8 封装节省了 PCB 空间，同时提供卓越的散热能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
该器件广泛应用于以下场景：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. 工业自动化设备中的 DC/DC 转换器
4. 电动车充电装置
5. LED 驱动器
6. 太阳能微型逆变器
7. 各种需要高效功率转换的应用
NVD5C478NL, IRF540N, FDP5800
