CGHV1J070D 时间：2025/7/23 20:02:24 阅读：9

CGHV1J070D是一款由Cree（现为Wolfspeed）制造的高功率射频（RF）横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，设计用于高功率射频放大器应用。该晶体管采用先进的LDMOS技术，提供高效率、高增益和优异的热稳定性。其工作频率范围适用于HF到UHF频段，常用于通信、广播、测试设备和工业加热系统等应用。CGHV1J070D封装在坚固的陶瓷金属封装中，能够承受高功率操作条件下的热应力和机械应力。

参数

类型：LDMOS RF功率晶体管
　　制造商：Cree / Wolfspeed
　　最大漏极电流：70 A
　　最大耗散功率：150 W
　　频率范围：DC至500 MHz
　　增益：约20 dB（典型）
　　输出功率：125 W（典型）
　　工作电压：28 V（典型）
　　输入阻抗：50 Ω（标称）
　　封装类型：陶瓷金属封装（Ceramic Metal Package）

特性

CGHV1J070D具备多项卓越的电气和热性能特性。首先，该器件采用LDMOS工艺，使得其在高功率操作下仍能保持较高的效率和线性度，适用于要求高输出功率和低失真的应用。其次，其高频响应性能优异，能够在DC至500 MHz范围内稳定工作，适合多种射频功率放大场景。此外，该晶体管具有良好的热管理能力，得益于其高效的散热设计和陶瓷金属封装结构，能够在高温环境下保持稳定运行。
　　另外，CGHV1J070D在输入和输出匹配方面进行了优化，减少了外部匹配元件的需求，从而简化了电路设计并提高了系统的可靠性。其高耐用性和抗过载能力使其适用于各种严苛的工作环境。最后，该晶体管的栅极驱动要求较低，便于与各种射频放大器驱动电路配合使用，提高系统整体的集成度和效率。

应用

CGHV1J070D广泛应用于多个高功率射频系统中，包括但不限于广播发射机、HF/UHF通信设备、射频测试仪器、工业加热系统和医疗射频设备。其高输出功率和良好线性度使其成为AM、FM和数字广播发射机中理想的末级放大器。此外，在通信系统中，它可用于基站、中继器和高功率无线传输设备。在工业领域，CGHV1J070D可用于等离子体发生器、感应加热设备以及射频电源系统。其优异的热稳定性和高可靠性也使其适用于军事和航天等高端应用。