电容值：2200 pF（2.2nF）
　　额定电压：50V
　　容差：±0.5pF（B）
　　温度系数：C0G（NP0）
　　封装尺寸：0805（2012 公制）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥10,000 MΩ 或电容值的10,000倍（以较大者为准）
　　介质材料：陶瓷（C0G/NP0）

50H2D222HB7 是一款基于C0G（NP0）介质材料的陶瓷电容器，具有出色的温度稳定性和低损耗特性。C0G型陶瓷材料在-55°C到+125°C的温度范围内保持线性电容变化，温度系数接近于零，使其非常适合用于高精度和高稳定性的电路中。该电容器的容差为±0.5pF，适用于对电容精度要求极高的射频（RF）电路、滤波器和定时电路等应用。此外，该器件的额定电压为50V，能够在中高电压环境下稳定运行，具备良好的耐压能力。
　　其0805（2012公制）封装尺寸适用于表面贴装技术（SMT），在现代PCB设计中具有良好的兼容性和装配效率。该封装在保持足够机械强度的同时，也具备良好的焊接稳定性，适用于自动化生产和回流焊工艺。50H2D222HB7 还具有优异的抗湿性和抗老化性能，能够在恶劣环境条件下保持长期稳定运行。此外，由于陶瓷介质的固有特性，该电容器具备良好的高频响应能力，适用于从低频到高频的广泛频段应用。

50H2D222HB7 主要应用于以下领域：射频（RF）电路中的谐振回路、滤波器和阻抗匹配网络；精密模拟电路中的耦合和去耦电容；高稳定性振荡器和定时电路；汽车电子系统中的电源去耦和滤波；工业控制系统中的信号调理和噪声抑制；以及消费类电子产品中的储能和平滑滤波电路。由于其优异的温度稳定性和高精度容差，该电容器特别适用于对性能稳定性要求较高的高频通信设备和精密测量仪器。

GRM21BR71H222KA01L, C0805C2200F5GACTU, VJ0805Y222KXAC