类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：14A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.35Ω
　　功率耗散（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220、TO-262、TO-263等

D14N65L具有出色的电气性能和热稳定性，适用于高频率和高功率密度的设计需求。其主要特性包括：
　　1. 低导通电阻：Rds(on) 最大值仅为0.35Ω，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　2. 高击穿电压：650V的漏源击穿电压(Vds)使其适用于中高压电源应用，具备良好的电压耐受能力。
　　3. 高电流能力：14A的连续漏极电流(Id)支持大功率负载的驱动，适用于高电流需求的电源转换电路。
　　4. 高功率耗散能力：125W的功耗设计确保了在高温环境下依然保持稳定运行。
　　5. 热稳定性好：优化的封装结构提高了热传导效率，有助于延长器件寿命并提高系统可靠性。
　　6. 栅极电荷低：低Qg特性使得开关速度更快，减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。
　　7. 封装多样：提供TO-220、TO-262、TO-263等多种封装形式，便于根据具体应用选择合适的封装以满足散热和安装需求。

D14N65L广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中，典型应用包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC转换模块，提供高效率和稳定的输出电压。
　　2. DC-DC转换器：在车载电源、工业电源和通信电源中实现高效的电压转换。
　　3. 电机驱动电路：用于控制电机的启停、速度和方向，适用于电动工具和自动化设备。
　　4. 电池充电器：支持快速充电和智能充电管理，常见于电动自行车、电动滑板车等便携式设备的充电系统。
　　5. 功率因数校正（PFC）电路：提升电源系统的功率因数，减少无功功率损耗，广泛用于节能型电源设计。
　　6. LED照明电源：作为开关元件用于恒流驱动LED模块，提高照明系统的能效和寿命。

FQA16N65C、IRFGB40N65B、STF12N65M5、TK15A60D、K2641