时间：2025/6/16 14:51:16
阅读：4
GA1812A123GBAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
其封装形式为 TO-247，具有良好的散热性能，适合在高功率密度环境下工作。
型号：GA1812A123GBAAT31G
类型：N-Channel Power MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：60mΩ（典型值，@Vgs=10V）
总功耗(Ptot)：350W
结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装：TO-247
GA1812A123GBAAT31G 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，适用于高压工业应用环境。
2. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提升整体能效。
3. 快速开关速度，可有效降低开关损耗，尤其在高频应用中表现优异。
4. 强大的电流承载能力，支持高达 50A 的连续漏极电流。
5. 具备出色的热稳定性，能够在极端温度范围内稳定工作。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保设计，无有害物质使用。
7. 可靠性高，经过严格的质量控制流程确保长期运行的稳定性。
该芯片广泛应用于以下场景：
1. 开关电源(SMPS)，用于提供高效的直流电源转换。
2. DC-DC 转换器，特别是在需要高效率和高功率的应用中。
3. 电机驱动控制，如工业伺服电机或电动汽车中的牵引电机控制。
4. 太阳能逆变器，用于将太阳能电池板产生的直流电转化为交流电。
5. 不间断电源(UPS) 系统，确保关键设备在停电时持续供电。
6. 各种高功率电子负载和测试设备中的功率调节模块。
GA1812A123GBAAT32G, IRFP260N, STGW12DM2
