AOSS21311C是由AOS(Alpha and Omega Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用TOLL封装,适用于高功率密度应用场合,能够提供低导通电阻和高效率表现。其工作电压范围为40V,适合于需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景,例如AC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及通信电源等。这款MOSFET具有出色的热性能和电气性能,可显著降低功耗并提高系统可靠性。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:167A
导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ
栅极电荷:85nC
输入电容:3960pF
工作结温范围:-55℃至175℃
AOSS21311C具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在10V栅极驱动下仅为1.2mΩ,有助于减少传导损耗。
2. 较低的栅极电荷和输出电荷,确保了高效的开关操作。
3. 高电流处理能力,连续漏极电流高达167A,支持大功率应用。
4. TOLL封装设计,提供卓越的散热性能和紧凑的空间占用。
5. 工作温度范围宽广,从-55℃到175℃,适应多种恶劣环境条件。
6. 符合RoHS标准,环保且可靠。
AOSS21311C广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
3. 服务器和电信设备中的负载开关和保护电路。
4. 汽车电子系统中的电池管理及DC-DC转换模块。
5. 工业自动化设备中的功率控制单元。
6. 太阳能逆变器及其他新能源相关设备。
AOSS21310C, AOSS21312C