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AOSS21311C 发布时间 时间:2025/5/12 13:57:31 查看 阅读:7

AOSS21311C是由AOS(Alpha and Omega Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用TOLL封装,适用于高功率密度应用场合,能够提供低导通电阻和高效率表现。其工作电压范围为40V,适合于需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景,例如AC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及通信电源等。这款MOSFET具有出色的热性能和电气性能,可显著降低功耗并提高系统可靠性。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:167A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ
  栅极电荷:85nC
  输入电容:3960pF
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

AOSS21311C具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在10V栅极驱动下仅为1.2mΩ,有助于减少传导损耗。
  2. 较低的栅极电荷和输出电荷,确保了高效的开关操作。
  3. 高电流处理能力,连续漏极电流高达167A,支持大功率应用。
  4. TOLL封装设计,提供卓越的散热性能和紧凑的空间占用。
  5. 工作温度范围宽广,从-55℃到175℃,适应多种恶劣环境条件。
  6. 符合RoHS标准,环保且可靠。

应用

AOSS21311C广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
  3. 服务器和电信设备中的负载开关和保护电路。
  4. 汽车电子系统中的电池管理及DC-DC转换模块。
  5. 工业自动化设备中的功率控制单元。
  6. 太阳能逆变器及其他新能源相关设备。

替代型号

AOSS21310C, AOSS21312C

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AOSS21311C参数

  • 现有数量109,447现货
  • 价格1 : ¥3.66000剪切带(CT)3,000 : ¥0.81137卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.3A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)45 毫欧 @ 4.3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)23 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)720 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.3W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳3-SMD,SOT-23-3 变式