时间：2025/5/8 8:50:24
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SI4936CDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，基于硅技术制造。该器件广泛用于功率转换、电机驱动和负载开关等应用领域。其设计旨在提供低导通电阻 (Rds(on)) 和高能效表现，适用于多种工业及消费类电子设备。此外，该芯片具有出色的热性能和可靠性，使其能够在严苛的工作条件下长期稳定运行。
该型号中的后缀 '-T1-GE3' 表示 Vishay 的标准卷带封装形式，并符合环保要求（无铅且符合 RoHS 标准）。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：32A
导通电阻(Rds(on))：3.8mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg)：55nC
输入电容(Ciss)：3760pF
反向恢复时间(trr)：70ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
SI4936CDY-T1-GE3 采用了 Vishay 的先进工艺制造，具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低功耗并提升系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用环境。
3. 高电流承载能力，支持高达 32A 的连续漏极电流。
4. 出色的热稳定性，允许在极端温度范围内可靠运行。
5. 小型化的封装形式，简化了 PCB 布局设计。
6. 符合 RoHS 标准，满足现代电子产品对环保的要求。
这款 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心功率级元件。
3. 电动工具、家用电器以及其他需要高效功率控制的应用场景。
4. 电池管理系统的充放电路径控制。
5. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
6. 各种负载开关和保护电路的设计。
SI4935DY, IRF7736, AO4936
