时间：2025/6/4 3:56:07
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GA1210Y824KBXAT31G 是一款高性能、低功耗的存储芯片，主要用于需要大容量数据存储的应用场景。该芯片采用了先进的制程工艺，能够在保证稳定性和可靠性的前提下提供更高的存储密度和更快的数据传输速度。
此芯片属于 NAND Flash 类型，广泛应用于消费电子、工业设备及嵌入式系统中，如 SSD 固态硬盘、USB 闪存盘等产品。
类型：NAND Flash
容量：128GB
接口：Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
存储单元：3D TLC
页大小：16KB
擦写次数：3000 次
数据保留时间：10 年
工作温度：-40°C 至 +85°C
引脚数：169
GA1210Y824KBXAT31G 具备高可靠性与快速性能，支持多平面操作以提高数据吞吐量，并采用纠错码（ECC）技术来增强数据完整性。
此外，该芯片内置磨损均衡算法，有助于延长其使用寿命。同时，它还支持动态和静态磨损均衡、坏块管理以及智能垃圾回收等功能，从而确保长期使用的稳定性。
该芯片在低功耗模式下的表现尤为突出，待机功耗极低，非常适合移动设备和便携式电子产品使用。
由于其采用了 3D TLC 技术，相比传统 2D NAND，具备更高的存储密度和更低的成本，这使得它成为大规模数据存储的理想选择。
该芯片主要应用于固态硬盘（SSD）、USB 闪存盘、嵌入式存储模块（eMMC 和 UFS）、工业级存储卡以及各种需要大容量存储的消费类电子产品中。
在工业领域，它适用于监控录像机、数据记录仪以及其他需要长时间稳定存储的场合。
此外，由于其出色的低功耗特性，GA1210Y824KBXAT31G 也适合用于物联网（IoT）设备和边缘计算设备中的数据缓存与存储。
GA1210Y824KBXAT32G
GA1210Y824KBXBT31G
GA1210Y824KBXBT32G
